类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 55V |
连续漏极电流(Id) | 42A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 27mΩ@10V,25A |
功率(Pd) | 110W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 48nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.7nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 150pF@25V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
产品简介: IRLR2905TRPBF是一款高性能的N通道MOSFET(场效应管),由知名品牌Infineon(英飞凌)生产。该器件采用表面贴装型TO-252-3(D-Pak)封装,适用于各种高电压和高电流应用,主要服务于电力电子、自动化控制和其他需要稳健性能的场合。
关键参数:
电气特性:
频率响应与驱动能力: IRLR2905TRPBF设计的输入电容(Ciss)最大值为1700pF @ 25V,能够支撑相对较高的开关频率,同时保证栅极动态响应优异。此外,在涉及快速开关应用时,其较小的栅极电荷值使得可以使用较小的驱动电流,从而降低驱动电路的功耗。
工作环境: 该MOSFET具有宽广的工作温度范围,-55°C至175°C,使得其在极端环境下依旧能够可靠工作。此特性使其特别适合用于汽车电子、航空航天以及工业控制设备等应用。
应用领域: IRLR2905TRPBF广泛应用于逆变器、DC-DC转换器、马达驱动器以及其他需要高效电源管理的电子系统。由于其优越的导通特性和低导通电阻,它在需要高效功率转换和电流控制的电路中尤为出色。
结论: IRLR2905TRPBF作为一款高效的N通道MOSFET,凭借其出色的电气性能和广泛的应用适用性,成为许多现代电子设备的重要组成部分。无论是在功率转换、马达控制还是模块化电源管理中,它都能满足用户的高效率和高性能要求。选择IRLR2905TRPBF能够有效提升电子系统的整体性能和可靠性,是工程师和设计师们在开发高效智能电子产品时的重要选择。