IRLR2905TRPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRLR2905TRPBF

商品编码: BM0000285945
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-252-3(DPAK)
包装 : 
编带
重量 : 
5.49g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 110W 55V 42A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
553(起订量1,增量1)
批次 :
25+
数量 :
X
1.81
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.81
--
2000+
¥1.73
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRLR2905TRPBF参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)42A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)27mΩ@10V,25A
功率(Pd)110W阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)48nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.7nF
反向传输电容(Crss@Vds)150pF@25V工作温度-55℃~+175℃

IRLR2905TRPBF手册

IRLR2905TRPBF概述

IRLR2905TRPBF 产品概述

产品简介: IRLR2905TRPBF是一款高性能的N通道MOSFET(场效应管),由知名品牌Infineon(英飞凌)生产。该器件采用表面贴装型TO-252-3(D-Pak)封装,适用于各种高电压和高电流应用,主要服务于电力电子、自动化控制和其他需要稳健性能的场合。

关键参数:

  • 漏源电压(Vdss): 55V
  • 连续漏极电流(Id): 42A @ 25°C(在合理的热管理条件下)
  • 最大功耗(PD): 110W(社温情况下)
  • 导通电阻(Rds On): 在10V时,25A时的最大值为27毫欧,意味着在此电流值下,器件的电阻导致的功耗相对较低,有助于提高整体电能效率。

电气特性:

  • 驱动电压(Vgs): 该器件支持的驱动电压范围为4V到10V,在这些电压下能够实现最佳的导通状态。
  • 门阈电压(Vgs(th)): 最大值为2V @ 250μA,确保在较低的栅极驱动电压下就可以被激活,使其在低供电电压的应用中也能够正常工作。
  • 栅极电荷(Qg): 最大值为48nC @ 5V,这表明在开关频率较高的应用中,可以实现较快的开关速度。

频率响应与驱动能力: IRLR2905TRPBF设计的输入电容(Ciss)最大值为1700pF @ 25V,能够支撑相对较高的开关频率,同时保证栅极动态响应优异。此外,在涉及快速开关应用时,其较小的栅极电荷值使得可以使用较小的驱动电流,从而降低驱动电路的功耗。

工作环境: 该MOSFET具有宽广的工作温度范围,-55°C至175°C,使得其在极端环境下依旧能够可靠工作。此特性使其特别适合用于汽车电子、航空航天以及工业控制设备等应用。

应用领域: IRLR2905TRPBF广泛应用于逆变器、DC-DC转换器、马达驱动器以及其他需要高效电源管理的电子系统。由于其优越的导通特性和低导通电阻,它在需要高效功率转换和电流控制的电路中尤为出色。

结论: IRLR2905TRPBF作为一款高效的N通道MOSFET,凭借其出色的电气性能和广泛的应用适用性,成为许多现代电子设备的重要组成部分。无论是在功率转换、马达控制还是模块化电源管理中,它都能满足用户的高效率和高性能要求。选择IRLR2905TRPBF能够有效提升电子系统的整体性能和可靠性,是工程师和设计师们在开发高效智能电子产品时的重要选择。