
| 驱动配置 | 低边;高边 | 负载类型 | IGBT;MOSFET |
| 驱动通道数 | 2 | 灌电流(IOL) | 4A |
| 拉电流(IOH) | 4A | 工作电压 | 10V~20V |
| 上升时间(tr) | 22ns | 下降时间(tf) | 18ns |
| 传播延迟 tpLH | 170ns | 传播延迟 tpHL | 170ns |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
| 静态电流(Iq) | 120uA |
IRS2186STRPBF 是由英飞凌(Infineon)生产的一款高性能栅极驱动器 IC,专为驱动高压和低压侧的 IGBT 和 N 沟道 MOSFET 而设计。此器件集成了先进的驾驶技术,以确保高效、快速地驱动高功率开关元件,广泛应用于各种电力电子应用中,例如逆变器、电机驱动和转换器等。
IRS2186STRPBF 产品非常适合以下场景:
作为一款功能强大的栅极驱动器,IRS2186STRPBF 不仅具备灵活的设计选择和高效的电力处理能力,还能在极端工作环境中持续提供稳定输出。在电力电子、高压变换和电动机控制等应用方面,IRS2186STRPBF 是一个理想的选择,为工程师和设计师在产品开发和系统集成方面提供了极大的便利。通过其出色的性能和可靠性,IRS2186STRPBF 将助力新型工业和智能电网技术的发展,推动更高效、可持续的能源使用。