晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | 功率(Pd) | 310mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@100mA,1.0V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA,10mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
MMBTA05-7-F 是一种高性能的 NPN 型双极晶体管(BJT),专为表面贴装技术(SMT)设计,具有出色的电流传导能力和良好的频率响应。该产品广泛应用于低功耗和中等功率电子设备的开关和放大电路中,特别适合用于消费电子、工业控制以及通信设备中。
MMBTA05-7-F 采用 SOT-23 封装,这种小型化设计非常适合于紧凑型电路板布局,同时可以显著提高设备的可靠性和减小体积。该产品由美台知名品牌 DIODES 生产,品牌的可信度和市场份额使其在消费电子工程师和设计师中广受欢迎。
MMBTA05-7-F 的高集电极电流值和出色的频率响应使其能够处理需求高的应用场景,且其良好的温度适应性和低功耗特性确保了在严苛环境下的可靠应用。此外,该产品的低饱和压降和高增益特性进一步提升了其在功率转换和放大的应用中的效果,使其成为工程师们的理想选择。
在众多竞争产品中,MMBTA05-7-F因其集成了高电流、高频率和宽温范围的优势,提供了卓越的性价比。这种晶体管适合较为广泛的工业和消费领域需求,提供了高度的设计灵活性。同时,DIODES 品牌在行业内的良好声誉使得设计师对其产品的选用更具信心。
总的来说,MMBTA05-7-F 是一款高效、可靠的 NPN 三极管,凭借其出色的性能参数和广泛的应用场景,为电子设计师在各种应用中提供了理想的解决方案。无论是在快速发展的消费电子市场,还是在传统的工业控制领域,MMBTA05-7-F都将是实现高性能电路设计的有力工具。