类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 230mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.1Ω@4.5V,200mA |
功率(Pd) | 350mW;1.14W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 720pC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 46pF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
NX3008PBK,215 是一种高性能的 P 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由著名的半导体制造商 Nexperia(安世)生产。此器件专为低功耗应用设计,适合使用在各种电子电路中,包括开关电源、负载驱动和信号调节等场合。
NX3008PBK,215 适用于多种应用场景,包括但不限于:
在实际设计过程中,工程师在使用 NX3008PBK,215 时需要注意以下几点:
NX3008PBK,215 是一种多功能的 P 沟道 MOSFET,凭借其优异的电气性能和适应性,能够满足现代电子设备日益提高的性能要求。无论是在消费电子、工业控制还是电源管理系统中,NX3008PBK,215 都是一个极具吸引力的选择,为工程师提供了灵活的设计方案和可靠性。因此,选择 NX3008PBK,215 将为产品的性能和效率提供有力支持。