NX3008PBK,215 产品实物图片
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NX3008PBK,215

商品编码: BM0000286131
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
TO-236AB
包装 : 
编带
重量 : 
0.024g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 350mW;1.14W 30V 230mA 1个P沟道 SOT-23
库存 :
32857(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.151
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.151
--
3000+
¥0.134
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

NX3008PBK,215参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)230mA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.1Ω@4.5V,200mA
功率(Pd)350mW;1.14W阈值电压(Vgs(th)@Id)1.1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)720pC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)46pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

NX3008PBK,215手册

NX3008PBK,215概述

产品概述:NX3008PBK,215 MOSFET

1. 产品背景和定义

NX3008PBK,215 是一种高性能的 P 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由著名的半导体制造商 Nexperia(安世)生产。此器件专为低功耗应用设计,适合使用在各种电子电路中,包括开关电源、负载驱动和信号调节等场合。

2. 主要技术参数

  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 持续漏极电流(Id @ 25°C):230mA
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)):1.1V @ 250µA
  • 漏源导通电阻(Rds(on)):4.1Ω @ 200mA, 4.5V
  • 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW,最大 Tc:1.14W
  • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装类型:TO-236AB/SOT-23-3

3. 应用领域

NX3008PBK,215 适用于多种应用场景,包括但不限于:

  • 便携式设备:由于其低功耗特性,非常适合电池供电的便携式设备,帮助延长电池使用寿命。
  • 开关电源:可以在开关电源中用作切换元件,提升电源效率。
  • 负载驱动:可以用于驱动小功率负载,如LED灯、传感器和小型马达。
  • 信号调节:在模拟和数字电路中,NX3008PBK,215 可用于信号开关和调节。

4. 性能优势

  1. 低导通电阻:4.1Ω 的导通电阻为用户提供了较低的电能损耗,促进了高效能的能源转换。
  2. 高耐压能力:准备工作时漏源电压可达到 30V,为电路提供了一定的安全余量,适应更多复杂电路设计需求。
  3. 宽工作温度范围:-55°C 至 150°C 的工作温度使该器件适合在严苛的环境下运行。
  4. 小型封装:TO-236AB 封装使其在空间有限的应用环境中易于集成,特别是在小型电子产品中。

5. 设计考虑

在实际设计过程中,工程师在使用 NX3008PBK,215 时需要注意以下几点:

  • 电源和负载要求:必须确保工作的电流和电压在器件的额定范围内,以防止损坏。
  • 散热设计:由于最大功率耗散为350mW,适当的散热设计对于提高器件的可靠性至关重要,尤其是在高负载情况下。
  • 驱动电压的选择:根据应用需求选择合适的驱动电压,以优化开关速度和功率损耗。

6. 总结

NX3008PBK,215 是一种多功能的 P 沟道 MOSFET,凭借其优异的电气性能和适应性,能够满足现代电子设备日益提高的性能要求。无论是在消费电子、工业控制还是电源管理系统中,NX3008PBK,215 都是一个极具吸引力的选择,为工程师提供了灵活的设计方案和可靠性。因此,选择 NX3008PBK,215 将为产品的性能和效率提供有力支持。