| 晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 2A |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 20V | 耗散功率(Pd) | 480mW |
| 直流电流增益(hFE) | 200@1A,2V | 特征频率(fT) | 100MHz |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 225mV |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 数量 | 1个PNP |
PBSS5220T,215 是由安世半导体(Nexperia)推出的一款高性能 PNP 型三极管(BJT),采用表面贴装型 (SMD) 设计,封装形式为 TO-236AB(SOT-23)。该器件专为现代电子电路设计而优化,在芴两极的电流控制和功率放大方面表现优越。PBSS5220T,215 以其较高的电流承载能力和低饱和压降特性,广泛应用于诸如开关电源、音频放大器和信号处理等多个领域。
PBSS5220T,215 适用于多种应用场景,主要包括:
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 最大集电极电流 (Ic) | 2A |
| 集电极截止电流 (ICBO) | 100nA |
| 工作温度 | 最高 150°C |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 最大功率 | 480mW |
| 最大集射极击穿电压 | 20V |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最低 DC 电流增益 (hFE) | 200 @ 1A,2V |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和压降 | 225mV @ 200mA,2A |
| 封装 | TO-236AB (SOT-23) |
PBSS5220T,215 是一款具备多种优势的高性能 PNP 型三极管,凭借其优异的电流承载能力、高温耐受性和低饱和压降特性,适合广泛的电子应用。无论是在开关电源、音频放大器还是信号处理电路中,其可靠性和性能都能满足现代电子设备的需求。如果您寻找一种兼具卓越性能与稳定性的三极管,PBSS5220T,215 无疑是一个极具吸引力的选择。