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PBSS5220T,215

- 商品编码: BM0000286143复制
- 品牌: Nexperia(安世)复制
- 封装: SOT-23复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.000024复制
- 描述: 三极管(BJT) 480mW 20V 2A PNP复制
PBSS5220T,215参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | PNP |
| 集电极电流(Ic) | 2A |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 480mW |
| 直流电流增益(hFE) | 200 |
| 特征频率(fT) | 100MHz |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 225mV |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 数量 | 1个PNP |
PBSS5220T,215手册
PBSS5220T,215概述
产品概述:PBSS5220T,215
1. 概述
PBSS5220T,215 是由安世半导体(Nexperia)推出的一款高性能 PNP 型三极管(BJT),采用表面贴装型 (SMD) 设计,封装形式为 TO-236AB(SOT-23)。该器件专为现代电子电路设计而优化,在芴两极的电流控制和功率放大方面表现优越。PBSS5220T,215 以其较高的电流承载能力和低饱和压降特性,广泛应用于诸如开关电源、音频放大器和信号处理等多个领域。
2. 主要特点
- 电流容量: 最大集电极电流 (Ic) 为 2A,能够满足高负载需求。
- 低截止电流: 集电极截止电流 (ICBO) 最大值仅为 100nA,确保在非工作状态下的低功耗和高可靠性。
- 高工作温度耐受性: 该器件可在高达 150°C 的环境温度下稳定工作,非常适合苛刻的工作环境。
- 高频响应: 频率跃迁能力为 100MHz,使其对于高频信号处理表现良好。
- 低饱和压降: 在 200mA 时,Vce 饱和压降仅为 225mV,具有出色的功率转换效率,尤其在开关应用中表现优异。
- DC 电流增益: 在 1A 的工作电流下,DC 电流增益 (hFE) 的最小值为 200,表明它在信号放大方面有很好的性能。
3. 应用场景
PBSS5220T,215 适用于多种应用场景,主要包括:
- 开关电源: 在开关电源电路中,PBSS5220T,215 的高电流承载能力和低饱和压降使其成为理想选择,能够有效地提高功率转换效率。
- 音频放大器: 其高频特性和出色的线性度使得该三极管非常适合音频放大器的设计,能够提供高保真的音频信号放大。
- 信号处理电路: 在需要快速开关和高增益的信号处理电路中,PBSS5220T,215 可以提供所需的电性能,保持信号的一致性和质量。
- 低功耗电子设备: 由于其低截止电流特性,而在待机模式下也能保持较低能耗,使其适用于各种便携式电子设备。
4. 规格参数总结
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 最大集电极电流 (Ic) | 2A |
| 集电极截止电流 (ICBO) | 100nA |
| 工作温度 | 最高 150°C |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 最大功率 | 480mW |
| 最大集射极击穿电压 | 20V |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最低 DC 电流增益 (hFE) | 200 @ 1A,2V |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和压降 | 225mV @ 200mA,2A |
| 封装 | TO-236AB (SOT-23) |
5. 结论
PBSS5220T,215 是一款具备多种优势的高性能 PNP 型三极管,凭借其优异的电流承载能力、高温耐受性和低饱和压降特性,适合广泛的电子应用。无论是在开关电源、音频放大器还是信号处理电路中,其可靠性和性能都能满足现代电子设备的需求。如果您寻找一种兼具卓越性能与稳定性的三极管,PBSS5220T,215 无疑是一个极具吸引力的选择。
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