RHP020N06T100 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

RHP020N06T100

商品编码: BM0000286188
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
MPT3(SOT-89)
包装 : 
编带
重量 : 
0.132g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 500mW 60V 2A 1个N沟道 SOT-89-3
库存 :
5(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
1.2
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.2
--
50+
¥0.922
--
1000+
¥0.85
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

RHP020N06T100参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)2A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)150mΩ@10V,2A
功率(Pd)2W阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)7nC@30V输入电容(Ciss@Vds)140pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)40pF工作温度-55℃~+150℃

RHP020N06T100手册

RHP020N06T100概述

RHP020N06T100 产品概述

产品简介

RHP020N06T100 是一款由 ROHM(罗姆)公司生产的 N 通道 MOSFET,专为高效能和高密度应用而设计。其主要特点包括工作漏源电压最高可达 60V、连续漏极电流可达 2A,有效满足了许多低功耗、高效率电路的需求。这款 MOSFET 以其低导通电阻和高开关速度而受到广泛应用,适合用于开关电源、DC-DC 转换器以及各类功率管理电路。

主要参数

  • 漏源电压 (Vdss): 最高可达 60V,适用于多种应用场合。
  • 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 温度下可承受 2A 的电流,适应中等功率的控制需求。
  • 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 2.5V @ 1mA,确保 MOSFET 在相对较低的控制电压下工作。
  • 漏源导通电阻 (Rds(on)): 200 mΩ @ 2A、10V,降低了功耗和发热,提高了工作效率。
  • 最大功率耗散: 在 25°C 时达到 500mW,适用于小型化电路设计。
  • 工作温度范围: 可承受长期工作温度高达 150°C,保证其在严苛环境下的稳定性。
  • 驱动电压: 最大 Rds On 的驱动电压范围为 4V 至 10V,方便适配不同的控制电路。
  • 栅极电荷 (Qg): 最大值为 14nC @ 10V,具有较快的开关性能,有助于提高开关频率。
  • 输入电容 (Ciss): 最大值为 140pF @ 10V,降低栅极驱动器功耗。

封装与适用领域

RHP020N06T100 的封装类型为 MPT3(SOT-89),这使得它极易于表面贴装,适合各种电路板布局。此外,其 TO-243AA 封装外壳设计有助于改善散热性能。这款 MOSFET 被广泛应用于以下领域:

  1. 开关电源: 作为开关元件,提高电源转换效率。
  2. DC-DC 转换器: 实现高效电压升降转换,广泛应用于便携设备和嵌入式系统中。
  3. 电池管理系统: 在电池充放电过程中提供高效控制。
  4. 电动驱动系统: 用于电动车或电动工具的驱动控制。
  5. LED 驱动电路: 提供高效驱动及调光能力。

应用优势

RHP020N06T100 由于其出色的参数配置,能够有效降低系统的功耗,提高能量利用率。同时,其宽广的工作温度范围和卓越的耐压能力,使其在多种环境条件下保持稳定运行。此外,较低的导通电阻和较快的切换速度,有助于提升电路的整体性能,降低因发热所导致的能耗和损耗。

总结

ROHM 公司的 RHP020N06T100 N 通道 MOSFET 是一款非常可靠的高性能器件,具备了在现代电子应用中所需的关键特性。凭借其优异的导通特性、低功耗和高温稳定性,RHP020N06T100 是满足高效能设计需求的理想选择,适用于各类功率管理和电源控制应用。无论是在开关电源、DC-DC 转换器或是电池驱动电路中,它都能够提供卓越的性能,成为电子设计师的得力助手。