类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 150mΩ@10V,2A |
功率(Pd) | 2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 7nC@30V | 输入电容(Ciss@Vds) | 140pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 40pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品简介
RHP020N06T100 是一款由 ROHM(罗姆)公司生产的 N 通道 MOSFET,专为高效能和高密度应用而设计。其主要特点包括工作漏源电压最高可达 60V、连续漏极电流可达 2A,有效满足了许多低功耗、高效率电路的需求。这款 MOSFET 以其低导通电阻和高开关速度而受到广泛应用,适合用于开关电源、DC-DC 转换器以及各类功率管理电路。
主要参数
封装与适用领域
RHP020N06T100 的封装类型为 MPT3(SOT-89),这使得它极易于表面贴装,适合各种电路板布局。此外,其 TO-243AA 封装外壳设计有助于改善散热性能。这款 MOSFET 被广泛应用于以下领域:
应用优势
RHP020N06T100 由于其出色的参数配置,能够有效降低系统的功耗,提高能量利用率。同时,其宽广的工作温度范围和卓越的耐压能力,使其在多种环境条件下保持稳定运行。此外,较低的导通电阻和较快的切换速度,有助于提升电路的整体性能,降低因发热所导致的能耗和损耗。
总结
ROHM 公司的 RHP020N06T100 N 通道 MOSFET 是一款非常可靠的高性能器件,具备了在现代电子应用中所需的关键特性。凭借其优异的导通特性、低功耗和高温稳定性,RHP020N06T100 是满足高效能设计需求的理想选择,适用于各类功率管理和电源控制应用。无论是在开关电源、DC-DC 转换器或是电池驱动电路中,它都能够提供卓越的性能,成为电子设计师的得力助手。