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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册
RUM001L02T2CL
商品编码: BM0000286213
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
VMT3(SOT-723)
包装 : 
编带
重量 : 
0.01g
描述 : 
表面贴装型-N-通道-20V-100mA(Ta)-150mW(Ta)-VMT3
库存 :
66167(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.57
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.57
--
500+
¥0.19
--
4000+
¥0.127
--
48000+
产品参数
产品手册
常见问题
产品参数
漏源电压(Vdss)20V连续漏极电流(Id)(25°C 时)100mA
栅源极阈值电压1V @ 100uA漏源导通电阻3.5Ω @ 100mA,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)150mW类型N沟道
FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)20V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.2V,4.5V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 100µAVgs(最大值)±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)7.1pF @ 10VFET 功能-
功率耗散(最大值)150mW(Ta)工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装VMT3
封装/外壳SOT-723
产品手册
常见问题

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