SI1012R-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
SC-75A
包装 :
编带
重量 :
0.035g
描述 :
场效应管(MOSFET) 150mW 20V 500mA 1个N沟道 SC-75A
库存 :
19272(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
1.53按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.53
--
100+
￥1.18
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750+
￥0.975
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1500+
￥0.887
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI1012R-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 500mA |
| 栅源极阈值电压 | 900mV @ 250uA | 漏源导通电阻 | 700mΩ @ 600mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 150mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 500mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 700 毫欧 @ 600mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .75nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±6V |
| 功率耗散（最大值） | 150mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SC-75A |
| 封装/外壳 | SC-75A |
SI1012R-T1-GE3手册
SI1012R-T1-GE3概述
SI1012R-T1-GE3 产品概述
一、产品简介
SI1012R-T1-GE3 是一款由威世 (VISHAY) 生产的 N 通道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)，其具有出色的电气性能和热特性，适用于多种电子应用。该器件采用 SC-75A 封装，能够有效满足小型化、高性能电路的需求。
二、主要特性
电气参数:
- 漏源电压 (Vdss): 该产品的最大漏源电压为 20V，适合大多数低压电子应用。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 条件下，SI1012R-T1-GE3 可以提供最高 500mA 的连续漏极电流，确保其在常见负载情况下运行稳定。
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 该MOSFET 的栅源极阈值电压为 900mV (在 250μA 条件下)，意味着它适合用于低电压的控制电路。
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 在 4.5V 驱动电压下，以 600mA 的电流运行时，其导通电阻最大值为 700mΩ，这将有助于降低功耗并提高效率。
功率和热特性:
- 最大功率消耗: 在 25°C 环境下，器件的最大功率耗散为 150mW，这使得其在高温环境中使用时仍能维持良好的性能。
- 工作温度范围: SI1012R-T1-GE3 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，确保其在不同环境条件下的可靠性。
驱动电压:
- 该器件支持 1.8V 至 4.5V 的驱动电压，因而对低电压控制信号的适应性强，适合现代低功耗设计。
栅极电荷:
- 在 4.5V 驱动时的栅极电荷 (Qg) 最大值为 0.75nC，确保快速开关，无论是在开/关状态切换中的延迟较小，进而提高工作效率。
三、应用场景
SI1012R-T1-GE3 MOSFET 适用于多种应用场景，包括但不限于：
- DC-DC 转换器: 能够高效地转换电压，同时保持低电阻，有助于提升整体功率效率。
- 开关电源: 在开关电源设计中，该 MOSFET 可用于高频开关，改善电源的稳定性和气动特性。
- 信号放大: 由于其较低的栅源阈值电压，该器件也可用于低功耗运算放大器以及其他信号处理应用。
- 电池管理: 在电池供电的设备中，用于开关控制和保护电路，延长电池使用寿命。
四、封装与安装
SI1012R-T1-GE3 采用 SC-75A 表面贴装封装，支持自动化贴片生产，并可以在有限的PCB空间内提供高性能。这种小型化设计允许在手机、笔记本电脑、便携设备等场合实现更高的集成度，且其引脚配置便利安装和焊接。
五、总结
SI1012R-T1-GE3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，结合其高效的电气特性和宽广的环境适应能力，使其成为各类电子设计中可靠的选择。其 low Rds(on) 和优秀的热性能，确保能在功率密集的应用场景中发挥重要作用。无论是商业还是工业电路设计，SI1012R-T1-GE3 都能为设计师提供出色的性能和可靠性。因此，非常适合对功率消耗和空间有严格要求的现代电子产品。