类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 600mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.25Ω@1.8V,350mA |
功率(Pd) | 145mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 750pC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 75pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 225pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI1024X-T1-GE3 是一款高性能双 N 沟道场效应晶体管(MOSFET),由知名电子元器件供应商 VISHAY(威世)公司生产。该器件特别设计用于逻辑电平开关应用,具有优异的电气特性和广泛的应用领域,适用于各种电子设备和电源管理系统。
SI1024X-T1-GE3 在逻辑电平操作下展现出极低的导通电阻,使其在开关过程中能有效降低功耗,提升系统的整体能效。其最大漏极电流为 485mA,适合中低功率应用。同时,栅源极阈值电压为 900mV,使其可以在较低的驱动电压下稳定工作,适应现代数字电路的需求。
该MOSFET 元件的最大功率耗散为 250mW,适合各种温度环境下的应用。其宽广的工作温度范围(-55°C 至 150°C)使其在极端条件下依然能够可靠工作,适合用于汽车、工业控制等领域。
SI1024X-T1-GE3 采用了 SOT-563 封装,具有紧凑的体积及较低的插入高度,非常适合于需要表面贴装技术(SMD)的设计。这种封装形式不仅提高了电路板的空间利用率,还简化了自动化组装工艺。
凭借其较高的电流承载能力和低导通电阻,SI1024X-T1-GE3 非常适合用于以下应用:
SI1024X-T1-GE3 作为一款高性能的双 N 沟道MOSFET,结合了卓越的电气性能和广泛的适用性,能够满足多种场合的需求。VISHAY 作为行业内的领导者,其产品质量和可靠性在业界享有盛誉。选择 SI1024X-T1-GE3,能够为设计师提供便利,确保电子产品在功能性与效率间实现最优的平衡。无论是消费类电子、工控还是汽车电子,SI1024X-T1-GE3 都将为您的设计提供卓越的支持。