SI1024X-T1-GE3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI1024X-T1-GE3

商品编码: BM0000286253
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
SC-89-6
包装 : 
编带
重量 : 
0.052g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 250mW 20V 485mA 2个N沟道 SOT-563
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.31
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.31
--
3000+
¥1.24
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI1024X-T1-GE3参数

类型2个N沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)600mA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.25Ω@1.8V,350mA
功率(Pd)145mW阈值电压(Vgs(th)@Id)900mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)750pC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)75pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)225pF@10V工作温度-55℃~+150℃

SI1024X-T1-GE3手册

SI1024X-T1-GE3概述

SI1024X-T1-GE3 产品概述

1. 产品简介

SI1024X-T1-GE3 是一款高性能双 N 沟道场效应晶体管(MOSFET),由知名电子元器件供应商 VISHAY(威世)公司生产。该器件特别设计用于逻辑电平开关应用,具有优异的电气特性和广泛的应用领域,适用于各种电子设备和电源管理系统。

2. 主要规格

  • 漏源电压 (Vdss): 20V
  • 连续漏极电流 (Id) @ 25°C: 485mA
  • 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 900mV @ 250µA
  • 漏源导通电阻 (Rds(on)): 700mΩ @ 600mA, 4.5V
  • 最大功率耗散: 250mW (在 Ta=25°C 条件下)
  • 栅极电荷 (Qg): 0.75nC @ 4.5V
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
  • 封装类型: SOT-563 (SC-89-6)

3. 电气特性

SI1024X-T1-GE3 在逻辑电平操作下展现出极低的导通电阻,使其在开关过程中能有效降低功耗,提升系统的整体能效。其最大漏极电流为 485mA,适合中低功率应用。同时,栅源极阈值电压为 900mV,使其可以在较低的驱动电压下稳定工作,适应现代数字电路的需求。

4. 散热性能

该MOSFET 元件的最大功率耗散为 250mW,适合各种温度环境下的应用。其宽广的工作温度范围(-55°C 至 150°C)使其在极端条件下依然能够可靠工作,适合用于汽车、工业控制等领域。

5. 封装与安装

SI1024X-T1-GE3 采用了 SOT-563 封装,具有紧凑的体积及较低的插入高度,非常适合于需要表面贴装技术(SMD)的设计。这种封装形式不仅提高了电路板的空间利用率,还简化了自动化组装工艺。

6. 应用领域

凭借其较高的电流承载能力和低导通电阻,SI1024X-T1-GE3 非常适合用于以下应用:

  • 开关电源
  • 微控制器和DSP接口
  • 电池供电应用
  • 电机驱动
  • 电子开关
  • 液晶显示屏(LCD)驱动

7. 总结

SI1024X-T1-GE3 作为一款高性能的双 N 沟道MOSFET,结合了卓越的电气性能和广泛的适用性,能够满足多种场合的需求。VISHAY 作为行业内的领导者,其产品质量和可靠性在业界享有盛誉。选择 SI1024X-T1-GE3,能够为设计师提供便利,确保电子产品在功能性与效率间实现最优的平衡。无论是消费类电子、工控还是汽车电子,SI1024X-T1-GE3 都将为您的设计提供卓越的支持。