类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 31.8mΩ@4.5V,6A |
功率(Pd) | 1.3W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.8nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 865pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 18pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI2312CDS-T1-GE3 是一款由VISHAY(威世)公司生产的高性能N沟道金属氧化物场效应管(MOSFET)。它主要用于低电压和高电流的应用场合,广泛应用于开关电路、负载驱动、DC-DC转换器以及其他线性和开关电子设备中。凭借其优越的电气性能和小型化的封装,SI2312CDS-T1-GE3能够有效提升电路的效率和稳定性。
SI2312CDS-T1-GE3采用SOT-23-3(TO-236)封装形式,提供优势在于小型化设计,非常适合于空间受限的电子设备。此外,该封装还具有良好的散热性能,有助于在高功率应用中保持稳定的工作状态。
SI2312CDS-T1-GE3广泛应用于如下领域:
SI2312CDS-T1-GE3 MOSFET是VISHAY公司推出的一款性能卓越的N沟道场效应管,其小型化封装和多种优异的电气参数使得其在多种应用场合中展现出良好的性能和灵活性。它的广泛适用性以及高效率使其成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。对于任何寻求可靠和高效电源控制解决方案的设计工程师,SI2312CDS-T1-GE3都是一个值得关注的选择。