SI2319CDS-T1-GE3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI2319CDS-T1-GE3

商品编码: BM0000286258
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
0.035g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W;1.25W 40V 4.4A 1个P沟道 SOT-23-3(TO-236-3)
库存 :
8577(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.07
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.07
--
3000+
¥1.02
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI2319CDS-T1-GE3参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)3.1A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)77mΩ@10V,3.7A
功率(Pd)1.6W阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)7nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)595pF@20V
反向传输电容(Crss@Vds)61pF@20V工作温度-55℃~+150℃

SI2319CDS-T1-GE3手册

SI2319CDS-T1-GE3概述

产品概述:SI2319CDS-T1-GE3 MOSFET

一、简介

SI2319CDS-T1-GE3是由知名品牌VISHAY(威世)生产的一款P沟道场效应晶体管(MOSFET),它在电子应用中广泛用于开关和线性放大等场合。该器件具有低导通电阻、高电流传输能力和优异的热性能,使其成为电子设计工程师在高效能电路设计中的理想选择。

二、基本参数

  1. 漏源电压(Vdss): 该MOSFET的漏源电压达到40V,可以在相对较高的电压条件下稳定工作。
  2. 连续漏极电流(Id): 在25°C环境温度下,SI2319CDS-T1-GE3的连续漏极电流为4.4A(在Tc状态下更高),表明其能够承载较大的电流负载。
  3. 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 该器件的栅源极阈值电压为2.5V(在250µA条件下测得),意味着它能够在较低的栅电压下被激活,从而降低了控制电路的驱动电压要求。
  4. 漏源导通电阻(Rds(on)): 在3.1A和10V的条件下,漏源导通电阻为77mΩ,低导通电阻确保了在通电状态下的能量损耗最小化,提高了整体电路的效率。

三、功率与热特性

  1. 功率耗散: SI2319CDS-T1-GE3的最大功率耗散为2.5W(在Tc状态),和1.25W(在Ta状态),在设计电路时需注意确保散热良好,以防器件过热。
  2. 工作温度: 穿过-55°C至150°C的广泛工作温度区间,SI2319CDS-T1-GE3适合在严酷环境下使用,特别适用于高温和低温的应用场景。

四、电气特性

  1. 驱动电压: 本器件最大驱动电压为±20V,不同的Vgs和Id都会影响导通电阻,且在4.5V至10V的驱动电压下均能表现出优良的特性。
  2. 栅极电荷(Qg): 最大栅极电荷为21nC @ 10V,说明其在开启和关闭的迅速切换性能良好,适合高频率应用。

五、封装与安装

  • 封装类型: SI2319CDS-T1-GE3采用SOT-23-3(TO-236-3)封装,这种小型表面贴装封装不仅减少了电路板的空间占用,还方便在现代电子设备中的集成与复杂布局。
  • 安装方式: 采用表面贴装技术(SMT),使得生产自动化成为可能,极大提高了产品的一致性和可重复性。

六、应用领域

由于其优异的性能,SI2319CDS-T1-GE3 MOSFET适用于如下应用:

  • 开关电源
  • 电机驱动
  • 线性调节器
  • LED驱动电源
  • 安全和保护电路

七、总结

SI2319CDS-T1-GE3是一款高效、稳定且温度适应能力强的P沟道MOSFET,适用于各种电子设备。凭借其低导通电阻和出色的散热性能,使得其在如开关电源、电机驱动及其他高电流应用中,成为理想的选择。同时,其小巧的封装和广泛的工作温度范围,使得它非常适合现代高密度电子应用的需求。在选择MOSFET时,SI2319CDS-T1-GE3凭借其全面的规格和性能参数,必定能为设计工程师提供强有力的支持。