产品概述:SI2319CDS-T1-GE3 MOSFET
一、简介
SI2319CDS-T1-GE3是由知名品牌VISHAY(威世)生产的一款P沟道场效应晶体管(MOSFET),它在电子应用中广泛用于开关和线性放大等场合。该器件具有低导通电阻、高电流传输能力和优异的热性能,使其成为电子设计工程师在高效能电路设计中的理想选择。
二、基本参数
- 漏源电压(Vdss): 该MOSFET的漏源电压达到40V,可以在相对较高的电压条件下稳定工作。
- 连续漏极电流(Id): 在25°C环境温度下,SI2319CDS-T1-GE3的连续漏极电流为4.4A(在Tc状态下更高),表明其能够承载较大的电流负载。
- 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 该器件的栅源极阈值电压为2.5V(在250µA条件下测得),意味着它能够在较低的栅电压下被激活,从而降低了控制电路的驱动电压要求。
- 漏源导通电阻(Rds(on)): 在3.1A和10V的条件下,漏源导通电阻为77mΩ,低导通电阻确保了在通电状态下的能量损耗最小化,提高了整体电路的效率。
三、功率与热特性
- 功率耗散: SI2319CDS-T1-GE3的最大功率耗散为2.5W(在Tc状态),和1.25W(在Ta状态),在设计电路时需注意确保散热良好,以防器件过热。
- 工作温度: 穿过-55°C至150°C的广泛工作温度区间,SI2319CDS-T1-GE3适合在严酷环境下使用,特别适用于高温和低温的应用场景。
四、电气特性
- 驱动电压: 本器件最大驱动电压为±20V,不同的Vgs和Id都会影响导通电阻,且在4.5V至10V的驱动电压下均能表现出优良的特性。
- 栅极电荷(Qg): 最大栅极电荷为21nC @ 10V,说明其在开启和关闭的迅速切换性能良好,适合高频率应用。
五、封装与安装
- 封装类型: SI2319CDS-T1-GE3采用SOT-23-3(TO-236-3)封装,这种小型表面贴装封装不仅减少了电路板的空间占用,还方便在现代电子设备中的集成与复杂布局。
- 安装方式: 采用表面贴装技术(SMT),使得生产自动化成为可能,极大提高了产品的一致性和可重复性。
六、应用领域
由于其优异的性能,SI2319CDS-T1-GE3 MOSFET适用于如下应用:
- 开关电源
- 电机驱动
- 线性调节器
- LED驱动电源
- 安全和保护电路
七、总结
SI2319CDS-T1-GE3是一款高效、稳定且温度适应能力强的P沟道MOSFET,适用于各种电子设备。凭借其低导通电阻和出色的散热性能,使得其在如开关电源、电机驱动及其他高电流应用中,成为理想的选择。同时,其小巧的封装和广泛的工作温度范围,使得它非常适合现代高密度电子应用的需求。在选择MOSFET时,SI2319CDS-T1-GE3凭借其全面的规格和性能参数,必定能为设计工程师提供强有力的支持。