类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 14A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 14mΩ@10V,14A |
功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 7.3nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 846pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 72pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI4134DY-T1-E3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,封装采用 8-SOIC(0.154",3.90mm宽),具有出色的电气特性和可靠性,广泛应用于各种电子设备和电路中。由知名品牌 VISHAY(威世)提供,这款 MOSFET 以其紧凑的设计与强大的性能受到了设计工程师的广泛青睐。
SI4134DY-T1-E3 的主要电气参数包括:漏源极电压(Vdss)为 30V,允许在该电压下稳定操作而不损坏。同时,栅源电压 (Vgss) 的范围为 ±20V,确保在各种控制条件下都能可靠工作。该器件的最大连续漏极电流 (Id) 达到 14A,在适当的冷却条件下(使用Tc)可保证良好的散热性能。
该 MOSFET 在 10A 和 10V 的条件下,其导通电阻(Rds On)最小值为 14 毫欧,这意味着在进行大电流传输时,损耗极低。此外,其栅阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为 2.5V @ 250µA,确保在较低的栅驱动电压下就能有效开启,提升了整体电路的效率。
SI4134DY-T1-E3 的栅极电荷 (Qg) 最大值为 23nC @ 10V,意味着其响应速度较快,能提供更高的开关频率,适合于高效开关电源和电机驱动等应用。同时,输入电容 (Ciss) 最大值为 846pF @ 15V,也使得其在高频操作时表现出色,适合各种动态负载。
器件的最大功率耗散限额为 2.5W(在环境温度 Ta 下),而在管壳温度 Tc 条件下可达到 5W。其工作温度范围广泛,从 -55°C 到 150°C(TJ),保证了在严苛环境中的可靠性。这些特性使得 SI4134DY-T1-E3 在工业、汽车及高需求应用中,都能稳定工作。
这款 N 通道 MOSFET 适用于许多重要领域:
综上所述,SI4134DY-T1-E3 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET,具有极低的导通电阻和广泛的工作温度范围,适合多个应用场景。得益于其卓越的电气性能和稳固的热管理能力,为电子产品的设计和应用提供了极大的灵活性与可靠性。设计工程师在选择功率开关元件时,SI4134DY-T1-E3 无疑是一个值得考虑的优质选择。