SI4134DY-T1-E3
SI4134DY-T1-E3参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 14mΩ@10V,14A |
| 功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 7.3nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 846pF@15V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 72pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI4134DY-T1-E3手册
SI4134DY-T1-E3概述
SI4134DY-T1-E3 产品概述
引言
SI4134DY-T1-E3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，封装采用 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽），具有出色的电气特性和可靠性，广泛应用于各种电子设备和电路中。由知名品牌 VISHAY（威世）提供，这款 MOSFET 以其紧凑的设计与强大的性能受到了设计工程师的广泛青睐。
基本参数
SI4134DY-T1-E3 的主要电气参数包括：漏源极电压（Vdss）为 30V，允许在该电压下稳定操作而不损坏。同时，栅源电压 (Vgss) 的范围为 ±20V，确保在各种控制条件下都能可靠工作。该器件的最大连续漏极电流 (Id) 达到 14A，在适当的冷却条件下(使用Tc)可保证良好的散热性能。
导通电阻与温度特性
该 MOSFET 在 10A 和 10V 的条件下，其导通电阻（Rds On）最小值为 14 毫欧，这意味着在进行大电流传输时，损耗极低。此外，其栅阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为 2.5V @ 250µA，确保在较低的栅驱动电压下就能有效开启，提升了整体电路的效率。
驱动特性
SI4134DY-T1-E3 的栅极电荷 (Qg) 最大值为 23nC @ 10V，意味着其响应速度较快，能提供更高的开关频率，适合于高效开关电源和电机驱动等应用。同时，输入电容 (Ciss) 最大值为 846pF @ 15V，也使得其在高频操作时表现出色，适合各种动态负载。
功率和热管理
器件的最大功率耗散限额为 2.5W（在环境温度 Ta 下），而在管壳温度 Tc 条件下可达到 5W。其工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C（TJ），保证了在严苛环境中的可靠性。这些特性使得 SI4134DY-T1-E3 在工业、汽车及高需求应用中，都能稳定工作。
应用领域
这款 N 通道 MOSFET 适用于许多重要领域：
- 开关电源：在各种电源转换器与适配器中作为开关元件，提供高效的电能转换。
- 电机驱动：适用于无刷直流电机等驱动应用，通过其快速切换特性，实现精准控制和高效性能。
- 电池管理系统：在电池充放电监控与管理中，用于实现电流的精准控制与保护。
- 汽车电子：因其耐高温特性，非常适合在汽车电子系统中的使用。
结论
综上所述，SI4134DY-T1-E3 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET，具有极低的导通电阻和广泛的工作温度范围，适合多个应用场景。得益于其卓越的电气性能和稳固的热管理能力，为电子产品的设计和应用提供了极大的灵活性与可靠性。设计工程师在选择功率开关元件时，SI4134DY-T1-E3 无疑是一个值得考虑的优质选择。