类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 17A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9.5mΩ@10V,17A |
功率(Pd) | 3.2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 8nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 985pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 76pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI4174DY-T1-GE3 是一款来自 VISHAY(威世)的高性能 N 通道 MOSFET,专为高效电源管理和开关应用而设计。它凭借出色的电气性能和热管理特性,适合于多种电子设备和电路,如 DC-DC 转换器、马达驱动、负载开关以及其他要求快速开关和高能效的应用。
SI4174DY-T1-GE3 的核心性能参数如下:
SI4174DY-T1-GE3 采用 8-SOIC(0.154"、3.90mm 宽)表面贴装封装,便于在现代自动化生产环境中实现快速和精准的安装。这种封装设计不仅提供了良好的电气性能,还可以通过减少占用空间,提高整体电路的密度。
该 MOSFET 适用于多种应用场景,包括但不限于:
在某些高效率电源设计中,使用 SI4174DY-T1-GE3 实现了显著的能效提升。现代电子设备对功耗要求日益严格,通过采用低导通电阻的 MOSFET,能够有效地降低充电和放电过程中的能量损耗,从而延长电池续航。
SI4174DY-T1-GE3 是一款具备高性能和高可靠性的 N 通道 MOSFET,适用于各种电源转换和开关应用。凭借出色的导通电阻、功率管理能力以及宽广的使用温度范围,它为设计工程师提供了灵活性与效率,是现代电子解决方案的重要组成部分。随着科技的不断进步,SI4174DY-T1-GE3 无疑将在低功耗电子的未来中扮演至关重要的角色。