SI4406DY-T1-E3
SI4406DY-T1-E3参数
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 50nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 1.6W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | 8-SO |
SI4406DY-T1-E3手册
SI4406DY-T1-E3概述
SI4406DY-T1-E3 产品概述
概述
SI4406DY-T1-E3 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，由威世（VISHAY）制造，特别设计用于广泛的电源管理和开关应用。这款 MOSFET 的封装形式为 8-SOIC（0.154" 或 3.90mm 宽），使其适合于表面贴装（SMT）技术。凭借其高效的电流处理能力、低导通电阻以及宽广的工作温度范围，SI4406DY-T1-E3 能够满足现代电子设备对功率效率和可靠性的要求。
主要特性
高漏源极电压：SI4406DY-T1-E3 的漏源极电压 (Vds) 最大为 30V，适用于大多数低压和中压应用，提供了充足的电压余量，以确保安全和可靠的操作。
高电流处理能力：在 25°C 环境温度下，该器件能够提供高达 13A 的连续漏极电流 (Id)，有效支持高载荷的工作场景。从而使其在电源转换、电机驱动等应用中表现出色。
优越的导通电阻：根据不同的 Id 和 Vgs 条件，该 MOSFET 的导通电阻 (Rds(on)) 最低可达 4.5 毫欧，在 10V 的栅极驱动下表现尤为卓越。较低的导通电阻能够显著降低功率损耗，提高能效。
灵活的驱动电压：该器件支持多种栅极驱动电压，最大 Rds(on) 和最小 Rds(on) 的驱动电压分别为 4.5V 和 10V，使设计人员可以灵活选择适合其系统需求的驱动条件。
阈值电压：不同 Id 条件下，Vgs(th) 的最大值为 3V @ 250µA，确保迅速开启和关断，提升开关速度，降低开关损耗。
栅极电荷特性：在 4.5V 的栅极驱动电压下，这款 MOSFET 的栅极电荷 (Qg) 最大为 50nC，这一特性确保了在高频开关应用中，能够实现快速稳定的开关操作。
温度范围与功率耗散：该器件的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，能够适应严酷的工作环境。最大功率耗散为 1.6W，这为设计热管理提供了灵活性。
应用领域
由于其出色的电气特性和广泛的工作条件，SI4406DY-T1-E3 适合应用于：
- 电源管理：用于开关电源、DC-DC 转换器和电池管理系统中。
- 电机驱动：在各种电机驱动应用中，如步进电机、伺服电机等。
- 通信设备：适合于无线电频率（RF）和其他通信设备的功率放大应用。
- 汽车电子：在汽车的电源调节、LED 驱动等领域中也可以发挥重要作用。
总结
SI4406DY-T1-E3 是一种高效能的 N 型 MOSFET，凭借其卓越的电气特性、广泛的适用性以及可信赖的性能，成为现代电源管理和开关电路设计中不可或缺的组成部分。其多种驱动电压选项、低导通电阻及宽广的工作温度范围，使其能够满足高效能与多样化应用需求，是设计师和工程师在进行电路设计时的理想选择。威世（VISHAY）作为领先的半导体制造商，保证了该产品的高质量与可靠性，为众多应用提供了强有力的支持。