类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 7.2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 45mΩ@5A,10V |
功率(Pd) | 4.2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 38nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 970pF@20V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
SI4447ADY-T1-GE3 是由 VISHAY(威世) 公司生产的一款高性能 P 通道场效应管(MOSFET),采用表面贴装型(SMD)封装,适用于各类电子设备的电源管理、开关控制等应用场景。该器件能够在极其广泛的温度范围内稳定工作,并展现出优异的电气性能,特别适合要求高效低功耗的设计。
SI4447ADY-T1-GE3 采用 MOSFET 技术,在开关应用中可实现快速的开关响应,降低了开关损耗,提升了系统整体效率。该器件的低导通电阻 (Rds(on)) 能有效地减少在电流流动过程中产生的热量,确保在高负载下的稳定运行。此外,高达 4.2W 的功率耗散能力也为其在高温或高电流应用中的可靠性提供了保障。
该 MOSFET 还具有良好的输入特性和低栅极电荷,简化了驱动电路设计,适合多个控制场合,包括电源转换器、马达驱动、负载开关、高频开关等。其栅极驱动电压范围宽广,既支持低电压驱动,也允许高电压驱动,为设计师提供了灵活性。
SI4447ADY-T1-GE3 MOSFET 在各类电子产品中均有广泛应用,适用于:
选择 SI4447ADY-T1-GE3 作为设计元件可以带来以下优势:
总的来说,SI4447ADY-T1-GE3 是一款高效、可靠、功能多样性强的 P 通道 MOSFET,适用于各种电力控制和开关应用。凭借其优异的电气特性和坚固的工业级性能,它为电子设计师提供了值得信赖的解决方案,助力高效能与低耗能的产品开发。