类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 150V |
连续漏极电流(Id) | 5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@10V,5A |
功率(Pd) | 3.1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 36nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 30pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 8.5pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI4488DY-T1-E3 是一款由知名半导体厂商 VISHAY(威世)生产的 N 沟道 MOSFET(场效应管),其出色的电气特性和适应性使其广泛应用于不同的电子电路中。产品具有高达 150V 的漏源电压,适合多种高压应用场景,尤其是在功率管理和开关电源设计中表现优异。其表面贴装型(SOIC-8)封装设计不仅节省空间,同时也简化了 PCB 布局,为现代电子产品的设计带来极大的便利。
漏源电压(Vdss): SI4488DY-T1-E3 能够承受高达 150V 的漏源电压,确保器件在高电压系统中的安全运作。
连续漏极电流(Id): 在 25°C 的环境条件下,该 MOSFET 可持续承载 3.5A 的漏极电流,具有出色的承载能力,适合高负载应用。
栅源极阈值电压: 产品的最小栅源阈值电压为 2V @ 250μA,确保逻辑信号能够有效控制 MOSFET。
漏源导通电阻(Rds(on): 在 10V 驱动电压下,漏源导通电阻的最大值为 50mΩ @ 5A,这意味着在工作中会产生较低的导通损耗,从而提高能效。
最大功率耗散: SI4488DY-T1-E3 的最大功率耗散为 1.56W(在环境温度 25°C 下),这使得其在热管理设计中具有一定的灵活性。
工作温度范围: 它支持 -55°C 至 150°C 的工作温度范围,确保在恶劣环境下的稳定运行,适合各种工业和汽车应用。
栅极电荷(Qg): 在 10V 驱动电压下,栅极电荷最大值为 36nC,较低的栅极电荷有助于快速开关,从而提高工作频率,适用于高频开关电路。
封装类型: 采用 8-SOIC 封装,方便于自动贴装及密集布局应用,且提供良好的散热特性。
SI4488DY-T1-E3 由于其出色的电气参数和热特性,在以下应用中得到广泛使用:
SI4488DY-T1-E3 隶属于 VISHAY(威世)品牌的高性能 N 沟道 MOSFET,凭借其高漏源电压、低导通电阻、宽工作温度范围和高功率处理能力,成为设计现代电子电路的重要元件。该器件适用于需要高效能和高可靠性的电源管理、电机控制等应用领域,能够满足快速发展的电子市场对高性能元器件的需求。