SI4488DY-T1-E3 产品实物图片
SI4488DY-T1-E3 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI4488DY-T1-E3

商品编码: BM0000286273
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
8-SO
包装 : 
编带
重量 : 
0.245g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.56W 150V 3.5A 1个N沟道 SOIC-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.6
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.6
--
2500+
¥2.49
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

SI4488DY-T1-E3参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)5A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)50mΩ@10V,5A
功率(Pd)3.1W阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)36nC@10V输入电容(Ciss@Vds)30pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)8.5pF@10V工作温度-55℃~+150℃

SI4488DY-T1-E3手册

SI4488DY-T1-E3概述

SI4488DY-T1-E3 产品概述

一、产品简介

SI4488DY-T1-E3 是一款由知名半导体厂商 VISHAY(威世)生产的 N 沟道 MOSFET(场效应管),其出色的电气特性和适应性使其广泛应用于不同的电子电路中。产品具有高达 150V 的漏源电压,适合多种高压应用场景,尤其是在功率管理和开关电源设计中表现优异。其表面贴装型(SOIC-8)封装设计不仅节省空间,同时也简化了 PCB 布局,为现代电子产品的设计带来极大的便利。

二、主要参数

  1. 漏源电压(Vdss): SI4488DY-T1-E3 能够承受高达 150V 的漏源电压,确保器件在高电压系统中的安全运作。

  2. 连续漏极电流(Id): 在 25°C 的环境条件下,该 MOSFET 可持续承载 3.5A 的漏极电流,具有出色的承载能力,适合高负载应用。

  3. 栅源极阈值电压: 产品的最小栅源阈值电压为 2V @ 250μA,确保逻辑信号能够有效控制 MOSFET。

  4. 漏源导通电阻(Rds(on): 在 10V 驱动电压下,漏源导通电阻的最大值为 50mΩ @ 5A,这意味着在工作中会产生较低的导通损耗,从而提高能效。

  5. 最大功率耗散: SI4488DY-T1-E3 的最大功率耗散为 1.56W(在环境温度 25°C 下),这使得其在热管理设计中具有一定的灵活性。

  6. 工作温度范围: 它支持 -55°C 至 150°C 的工作温度范围,确保在恶劣环境下的稳定运行,适合各种工业和汽车应用。

  7. 栅极电荷(Qg): 在 10V 驱动电压下,栅极电荷最大值为 36nC,较低的栅极电荷有助于快速开关,从而提高工作频率,适用于高频开关电路。

  8. 封装类型: 采用 8-SOIC 封装,方便于自动贴装及密集布局应用,且提供良好的散热特性。

三、应用领域

SI4488DY-T1-E3 由于其出色的电气参数和热特性,在以下应用中得到广泛使用:

  • 开关电源: 用于 DC-DC 转换器和模块电源中,可以实现高效的电能转换。
  • 电机驱动: 在电机控制系统中,作为驱动部分进行电机的正反转控制,保证快速响应。
  • 功率放大器: 它能够在 RF 应用中作为功率放大器的一部分,提高信号的输出能力。
  • 汽车电子: 在汽车的电气系统中,能够抵御高温和复杂的电气干扰。
  • 便携式设备: 由于其优良的热特性和低导通电阻,适合用于便携式电子设备,提升能效。

四、总结

SI4488DY-T1-E3 隶属于 VISHAY(威世)品牌的高性能 N 沟道 MOSFET,凭借其高漏源电压、低导通电阻、宽工作温度范围和高功率处理能力,成为设计现代电子电路的重要元件。该器件适用于需要高效能和高可靠性的电源管理、电机控制等应用领域,能够满足快速发展的电子市场对高性能元器件的需求。