SI4488DY-T1-E3
SI4488DY-T1-E3参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@10V,5A |
| 功率(Pd) | 3.1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 36nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 30pF@10V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 8.5pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI4488DY-T1-E3手册
SI4488DY-T1-E3概述
SI4488DY-T1-E3 产品概述
一、产品简介
SI4488DY-T1-E3 是一款由知名半导体厂商 VISHAY（威世）生产的 N 沟道 MOSFET（场效应管），其出色的电气特性和适应性使其广泛应用于不同的电子电路中。产品具有高达 150V 的漏源电压，适合多种高压应用场景，尤其是在功率管理和开关电源设计中表现优异。其表面贴装型（SOIC-8）封装设计不仅节省空间，同时也简化了 PCB 布局，为现代电子产品的设计带来极大的便利。
二、主要参数
漏源电压（Vdss）: SI4488DY-T1-E3 能够承受高达 150V 的漏源电压，确保器件在高电压系统中的安全运作。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境条件下，该 MOSFET 可持续承载 3.5A 的漏极电流，具有出色的承载能力，适合高负载应用。
栅源极阈值电压: 产品的最小栅源阈值电压为 2V @ 250μA，确保逻辑信号能够有效控制 MOSFET。
漏源导通电阻（Rds(on）: 在 10V 驱动电压下，漏源导通电阻的最大值为 50mΩ @ 5A，这意味着在工作中会产生较低的导通损耗，从而提高能效。
最大功率耗散: SI4488DY-T1-E3 的最大功率耗散为 1.56W（在环境温度 25°C 下），这使得其在热管理设计中具有一定的灵活性。
工作温度范围: 它支持 -55°C 至 150°C 的工作温度范围，确保在恶劣环境下的稳定运行，适合各种工业和汽车应用。
栅极电荷（Qg）: 在 10V 驱动电压下，栅极电荷最大值为 36nC，较低的栅极电荷有助于快速开关，从而提高工作频率，适用于高频开关电路。
封装类型: 采用 8-SOIC 封装，方便于自动贴装及密集布局应用，且提供良好的散热特性。
三、应用领域
SI4488DY-T1-E3 由于其出色的电气参数和热特性，在以下应用中得到广泛使用：
- 开关电源: 用于 DC-DC 转换器和模块电源中，可以实现高效的电能转换。
- 电机驱动: 在电机控制系统中，作为驱动部分进行电机的正反转控制，保证快速响应。
- 功率放大器: 它能够在 RF 应用中作为功率放大器的一部分，提高信号的输出能力。
- 汽车电子: 在汽车的电气系统中，能够抵御高温和复杂的电气干扰。
- 便携式设备: 由于其优良的热特性和低导通电阻，适合用于便携式电子设备，提升能效。
四、总结
SI4488DY-T1-E3 隶属于 VISHAY（威世）品牌的高性能 N 沟道 MOSFET，凭借其高漏源电压、低导通电阻、宽工作温度范围和高功率处理能力，成为设计现代电子电路的重要元件。该器件适用于需要高效能和高可靠性的电源管理、电机控制等应用领域，能够满足快速发展的电子市场对高性能元器件的需求。