SI4634DY-T1-GE3 产品实物图片
SI4634DY-T1-GE3 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI4634DY-T1-GE3

商品编码: BM0000286274
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
8-SO
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W;5.7W 30V 24.5A 1个N沟道 SO-8
库存 :
604(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
2.01
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.01
--
2500+
¥1.92
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

SI4634DY-T1-GE3参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)24.5A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.2mΩ@10V,24.5A
功率(Pd)3.6W阈值电压(Vgs(th)@Id)2.6V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)33nC@15V输入电容(Ciss@Vds)3.15nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)68pF@15V工作温度-55℃~+150℃

SI4634DY-T1-GE3手册

SI4634DY-T1-GE3概述

SI4634DY-T1-GE3 产品概述

基本信息

SI4634DY-T1-GE3 是一款高性能 N 通道 MOSFET,由威世(VISHAY)公司制造,具有优良的电气特性和可靠性。这款场效应管采用 8-SOIC 封装,适合于各种表面贴装(SMT)应用,广泛用于电源管理、开关电源和其他要求良好散热性能的场合。

关键参数

  • 封装类型: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • FET 类型: N沟道
  • 漏源极电压(Vdss): 30V
  • 持续漏极电流(Id): 24.5A(在 25°C 时)
  • 驱动电压: 4.5V(最小 Rds On)和 10V(最大 Rds On)
  • 导通电阻(Rds On): 在 10V 条件下,最大值为 5.2 毫欧(在 15A 时)
  • 栅极-源极阈值电压(Vgs(th)): 最大值 2.6V(在 250µA 时)
  • 栅极电荷(Qg): 在 10V 条件下,最大值为 68nC
  • 输入电容(Ciss): 在 15V 条件下,最大值为 3150pF
  • 功率耗散: 最大 2.5W(在环境温度 Ta 条件下),5.7W(在晶体管 Tc 条件下)
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C(结温 TJ)

应用场合

SI4634DY-T1-GE3 MOSFET 因其卓越的电气性能和热管理特性,适合于多种电子应用,包括但不限于:

  • 直流-直流转换器:在高效的电源管理系统中,MOSFET 常作为开关元件使用,尤其是在需要高电流和高电压的场景中。
  • 电机驱动:在电机控制电路中,能有效提供快速的切换能力,帮助实现高效的能量传递。
  • LED驱动电源:用于LED照明应用中,能够提供稳定的电流和低电阻特性,从而增强LED的性能和寿命。
  • 电池管理系统:在电池充放电管理中,MOSFET 能有效控制电流流向,提升系统的安全性和效率。

性能优势

SI4634DY-T1-GE3 提供了一系列关键性能优势,使其在现代电子设计中具有非常强的竞争力:

  • 低导通电阻(Rds On):仅为最大值 5.2 毫欧,这使得设备能够在较高电流条件下运行,降低热损耗。
  • 高电流承载能力:具备最高 24.5A 的连续漏极电流,能够满足对高功率应用的需求。
  • 广泛的工作温度范围:可在-55°C 到 150°C 的环境下可靠工作,适用于各种极端条件的应用。
  • 高可靠性和耐久性:作为威世半导体产品的一部分,SI4634DY-T1-GE3 在品质与制程控制上具有极高的标准。

结论

SI4634DY-T1-GE3 是一款功能强大且高效的 N 通道 MOSFET,以其高导电能力和低导通电阻,在现代电源管理和信号开关应用中占据了重要地位。威世公司以其创新的材料和严谨的生产工艺,为广泛的电子产品提供了强劲的支持与保障。无论是在工业应用、消费电子,还是在通信设备中,SI4634DY-T1-GE3 都能够帮助设计师实现安全、可靠且高效的设计解决方案。