类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 24.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5.2mΩ@10V,24.5A |
功率(Pd) | 3.6W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.6V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 33nC@15V | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.15nF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 68pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI4634DY-T1-GE3 是一款高性能 N 通道 MOSFET,由威世(VISHAY)公司制造,具有优良的电气特性和可靠性。这款场效应管采用 8-SOIC 封装,适合于各种表面贴装(SMT)应用,广泛用于电源管理、开关电源和其他要求良好散热性能的场合。
SI4634DY-T1-GE3 MOSFET 因其卓越的电气性能和热管理特性,适合于多种电子应用,包括但不限于:
SI4634DY-T1-GE3 提供了一系列关键性能优势,使其在现代电子设计中具有非常强的竞争力:
SI4634DY-T1-GE3 是一款功能强大且高效的 N 通道 MOSFET,以其高导电能力和低导通电阻,在现代电源管理和信号开关应用中占据了重要地位。威世公司以其创新的材料和严谨的生产工艺,为广泛的电子产品提供了强劲的支持与保障。无论是在工业应用、消费电子,还是在通信设备中,SI4634DY-T1-GE3 都能够帮助设计师实现安全、可靠且高效的设计解决方案。