类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 28mΩ@10V,6A |
功率(Pd) | 3.6W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.8nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 435pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 42pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI5468DC-T1-GE3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,封装形式为 8-SMD,最特点是其卓越的电气性能和高效的表面贴装(SMT)设计,广泛应用于各种电子设备,尤其是需要高效能和高可靠性的领域。该元件由知名厂商 VISHAY(威世)生产,具备了适用于现代电子产业中苛刻工作环境的多种优越性。
电气特性
驱动特性
热管理
封装与安装
SI5468DC-T1-GE3 的特性使其极其适合众多应用场景,包括但不限于:
SI5468DC-T1-GE3 是一款功能强大且灵活的 N 通道 MOSFET,凭借其优异的电气性能、温度范围和热管理能力,满足各种现代电子设计的需求。无论是用于电源转换、驱动控制,还是在高温、高压的电气环境中,SI5468DC-T1-GE3 都能展示出其卓越的适用性和可靠性。作为一款高性价比的元器件,VISHAY 的这一产品成为电气工程师和设计师在产品开发中不可或缺的组成部分。