注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
SI5468DC-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
CHIPFET-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.3W；5.7W 30V 6A 1个N沟道 ChipFET-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
10+数量 :
X
1.46按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.46
--
3000+
￥1.39
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI5468DC-T1-GE3参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 28mΩ@10V,6A |
| 功率(Pd) | 3.6W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.8nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 435pF@15V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 42pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI5468DC-T1-GE3手册
SI5468DC-T1-GE3概述
产品概述：SI5468DC-T1-GE3
一、基本信息
SI5468DC-T1-GE3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，封装形式为 8-SMD，最特点是其卓越的电气性能和高效的表面贴装(SMT)设计，广泛应用于各种电子设备，尤其是需要高效能和高可靠性的领域。该元件由知名厂商 VISHAY（威世）生产，具备了适用于现代电子产业中苛刻工作环境的多种优越性。
二、技术参数
电气特性
- 漏源极电压（Vdss）：30V
- 连续漏极电流（Id）：在 25°C 环境下，最大允许电流为 6A（Tc）
- 导通电阻（Rds(on)）：最大值为28毫欧，适用于6.8A和10V的工作条件
- 门源极电压（Vgss）：±20V
- 启动电压（Vgs(th)）：最大值为2.5V @ 250µA
驱动特性
- 不同 Vgs 下的栅极电荷（Qg）：最大值为 12nC @ 10V，确保快速开关和高频响应
- 多种栅极电压下的输入电容（Ciss）：最大值为435pF @ 15V，优越的驱动特性，降低开关损耗
热管理
- 功率耗散（Pd）：最大值 2.3W（环境温度Ta）与 5.7W（管结温Tc），这一设计保证了在高电流状态下的稳定运行。
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C（TJ），适应极端温度条件，适合汽车、工业应用等苛刻环境。
封装与安装
- 封装类型：ChipFET™ 1206-8，优化了占板面积，适合密集型电路设计，且简化了自动化贴装。
- 安装类型：表面贴装(SMT)，方便连接，提升生产效率，符合现代自动化生产的需求。
三、应用场景
SI5468DC-T1-GE3 的特性使其极其适合众多应用场景，包括但不限于：
- 电源管理：用于开关电源、DC-DC转换器等要求高效率的电源电路
- 电机驱动：在电动机和变频器中作为开关元件，确保高效的电源传导
- 消费电子：在智能设备、家电中控制功率和转换效率
- 汽车电子：支持高温环境下的长期可靠运行，适合在汽车电子控制单元(ECU)中使用
四、总结
SI5468DC-T1-GE3 是一款功能强大且灵活的 N 通道 MOSFET，凭借其优异的电气性能、温度范围和热管理能力，满足各种现代电子设计的需求。无论是用于电源转换、驱动控制，还是在高温、高压的电气环境中，SI5468DC-T1-GE3 都能展示出其卓越的适用性和可靠性。作为一款高性价比的元器件，VISHAY 的这一产品成为电气工程师和设计师在产品开发中不可或缺的组成部分。