类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 200V |
连续漏极电流(Id) | 1.2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.05Ω@10V,1A |
功率(Pd) | 3.7W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 10.6nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 666pF@50V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 25pF@50V | 工作温度 | -50℃~+150℃ |
产品类型
SI7119DN-T1-GE3 是一款高性能的 P 通道增强型 MOSFET(场效应管),适用于高效率和高密度的电源管理应用。此元件采用先进的半导体技术,具有优异的导通特性、低导通电阻和宽工作温度范围,适合在各种苛刻环境中使用。
主要参数
电气特性
SI7119DN-T1-GE3 的输入电容(Ciss)为 666pF(在 50V 下),适合快速开关应用,有助于提升电源转换效率。同时,栅极电荷(Qg)最大为 25nC(在 10V 下),减小了驱动电路对于栅极驱动的功率需求,有助于整个电路的能效优化。
阈值电压
此 MOSFET 的阈值电压(Vgs(th))最大为 4V(在 250µA 的漏电流条件下),使得该器件能够在较低的栅极电压下导通,从而适应多种低电压驱动场景。
应用领域
SI7119DN-T1-GE3 特别适应于高效电源管理、高频开关电源、DC-DC 转换器、负载开关及电机驱动器等领域。其卓越的性能使其成为电池供电设备、高电源密度应用、以及需要在宽温度范围下稳定运行的系统的理想选择。
封装设计
产品采用的 PowerPAK® 1212-8 封装,具有优异的热性能和较小的脚位间距,适合高密度排列的 PCB 布局设计。这种封装设计还提供了良好的机械强度和热管理能力,保障了元件在高负载情况下的稳定性。
品牌优势
作为行业知名的供应商,VISHAY(威世)在半导体领域的技术积累及市场响应能力,为客户提供了稳定、可靠的器件选择。公司致力于持续创新,确保产品能够满足不断变化的市场需求。
总结
总体而言,SI7119DN-T1-GE3 MOSFET 结合了优秀的电气性能、广泛的适用范围和高效的热管理能力,是高效电源设计中不可或缺的重要元器件。适合用于一系列高性能要求的电路应用,为设计工程师提供了极大的设计灵活性。此器件将为现代电子产品的发展和创新提供强有力的支持。