SI7119DN-T1-GE3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI7119DN-T1-GE3

商品编码: BM0000286278
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
PowerPAK® 1212-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.179g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.7W;52W 200V 3.8A 1个P沟道 PowerPAK1212-8
库存 :
11098(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
2.12
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.12
--
3000+
¥2.03
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI7119DN-T1-GE3参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)1.2A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.05Ω@10V,1A
功率(Pd)3.7W阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)10.6nC@10V输入电容(Ciss@Vds)666pF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)25pF@50V工作温度-50℃~+150℃

SI7119DN-T1-GE3手册

SI7119DN-T1-GE3概述

SI7119DN-T1-GE3 产品概述

产品类型
SI7119DN-T1-GE3 是一款高性能的 P 通道增强型 MOSFET(场效应管),适用于高效率和高密度的电源管理应用。此元件采用先进的半导体技术,具有优异的导通特性、低导通电阻和宽工作温度范围,适合在各种苛刻环境中使用。

主要参数

  • 安装类型: 表面贴装型(SMD),方便自动化生产和紧凑型电路设计。
  • 额定电流: 3.8A(在 25°C时),可提供可靠的连续工作。
  • 最大漏源电压(Vdss): 200V,能够承受高电压应用,满足严苛设计要求。
  • 导通电阻: 在 Vgs 为 10V 和 Id 为 1A 时,导通电阻(Rds(on))最大仅为 1.05欧姆,确保在工作状态下的低功耗损失。
  • 栅极驱动电压(Vgs): 适用于 6V 至 10V 的驱动电压,涵盖大多数基础电路设计需求。
  • 工作温度范围: -50°C 至 150°C 提供了广泛的适用性,使其能够在极端环境中稳定工作。
  • 功率耗散: 在环境温度(Ta)下最大耗散能力为 3.7W;在晶体管结温(Tc)下最大可达 52W,适合高功率应用。

电气特性
SI7119DN-T1-GE3 的输入电容(Ciss)为 666pF(在 50V 下),适合快速开关应用,有助于提升电源转换效率。同时,栅极电荷(Qg)最大为 25nC(在 10V 下),减小了驱动电路对于栅极驱动的功率需求,有助于整个电路的能效优化。

阈值电压
此 MOSFET 的阈值电压(Vgs(th))最大为 4V(在 250µA 的漏电流条件下),使得该器件能够在较低的栅极电压下导通,从而适应多种低电压驱动场景。

应用领域
SI7119DN-T1-GE3 特别适应于高效电源管理、高频开关电源、DC-DC 转换器、负载开关及电机驱动器等领域。其卓越的性能使其成为电池供电设备、高电源密度应用、以及需要在宽温度范围下稳定运行的系统的理想选择。

封装设计
产品采用的 PowerPAK® 1212-8 封装,具有优异的热性能和较小的脚位间距,适合高密度排列的 PCB 布局设计。这种封装设计还提供了良好的机械强度和热管理能力,保障了元件在高负载情况下的稳定性。

品牌优势
作为行业知名的供应商,VISHAY(威世)在半导体领域的技术积累及市场响应能力,为客户提供了稳定、可靠的器件选择。公司致力于持续创新,确保产品能够满足不断变化的市场需求。

总结
总体而言,SI7119DN-T1-GE3 MOSFET 结合了优秀的电气性能、广泛的适用范围和高效的热管理能力,是高效电源设计中不可或缺的重要元器件。适合用于一系列高性能要求的电路应用,为设计工程师提供了极大的设计灵活性。此器件将为现代电子产品的发展和创新提供强有力的支持。