SI7119DN-T1-GE3

SI7119DN-T1-GE3 产品概述

产品类型
SI7119DN-T1-GE3 是一款高性能的 P 通道增强型 MOSFET（场效应管），适用于高效率和高密度的电源管理应用。此元件采用先进的半导体技术，具有优异的导通特性、低导通电阻和宽工作温度范围，适合在各种苛刻环境中使用。

主要参数

• 安装类型: 表面贴装型（SMD），方便自动化生产和紧凑型电路设计。
• 额定电流: 3.8A（在 25°C时），可提供可靠的连续工作。
• 最大漏源电压（Vdss）: 200V，能够承受高电压应用，满足严苛设计要求。
• 导通电阻: 在 Vgs 为 10V 和 Id 为 1A 时，导通电阻（Rds(on)）最大仅为 1.05欧姆，确保在工作状态下的低功耗损失。
• 栅极驱动电压（Vgs）: 适用于 6V 至 10V 的驱动电压，涵盖大多数基础电路设计需求。
• 工作温度范围: -50°C 至 150°C 提供了广泛的适用性，使其能够在极端环境中稳定工作。
• 功率耗散: 在环境温度（Ta）下最大耗散能力为 3.7W；在晶体管结温（Tc）下最大可达 52W，适合高功率应用。

电气特性
SI7119DN-T1-GE3 的输入电容（Ciss）为 666pF（在 50V 下），适合快速开关应用，有助于提升电源转换效率。同时，栅极电荷（Qg）最大为 25nC（在 10V 下），减小了驱动电路对于栅极驱动的功率需求，有助于整个电路的能效优化。

阈值电压
此 MOSFET 的阈值电压（Vgs(th)）最大为 4V（在 250µA 的漏电流条件下），使得该器件能够在较低的栅极电压下导通，从而适应多种低电压驱动场景。

应用领域
SI7119DN-T1-GE3 特别适应于高效电源管理、高频开关电源、DC-DC 转换器、负载开关及电机驱动器等领域。其卓越的性能使其成为电池供电设备、高电源密度应用、以及需要在宽温度范围下稳定运行的系统的理想选择。

封装设计
产品采用的 PowerPAK® 1212-8 封装，具有优异的热性能和较小的脚位间距，适合高密度排列的 PCB 布局设计。这种封装设计还提供了良好的机械强度和热管理能力，保障了元件在高负载情况下的稳定性。

品牌优势
作为行业知名的供应商，VISHAY（威世）在半导体领域的技术积累及市场响应能力，为客户提供了稳定、可靠的器件选择。公司致力于持续创新，确保产品能够满足不断变化的市场需求。

总结
总体而言，SI7119DN-T1-GE3 MOSFET 结合了优秀的电气性能、广泛的适用范围和高效的热管理能力，是高效电源设计中不可或缺的重要元器件。适合用于一系列高性能要求的电路应用，为设计工程师提供了极大的设计灵活性。此器件将为现代电子产品的发展和创新提供强有力的支持。