类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 35A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9.5mΩ@10V,35A |
功率(Pd) | 3.8W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 12.5nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.765nF@15V |
工作温度 | -50℃~+150℃ |
基本信息: SI7726DN-T1-GE3是一款高性能N沟道MOSFET,由知名半导体制造商VISHAY(威世)生产,具备卓越的电气性能和宽广的工作温度范围。该产品的封装采用PowerPAK® 1212-8表面贴装结构,适用于空间受限的现代电子产品设计中。它主要用于需要高效率和高功率处理的应用,例如开关电源、DC-DC变换器、电机驱动和其他电源管理领域。
电气特性:
门极特性:
电容特性:
功率和热管理:
应用场景: SI7726DN-T1-GE3非常适合用于:
总之,SI7726DN-T1-GE3 N沟道MOSFET是一款可靠、高效且性价比高的电子元器件,广泛适用于各类需要高功率和高效能的应用,特别是那些对电气性能要求严格的电源管理系统中。其紧凑的封装及优异的热管理性能使其成为现代电子产品设计中不可或缺的一部分。