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SI7852DP-T1-E3 产品概述

产品背景与市场定位

SI7852DP-T1-E3 是由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）推出的高性能 N 沟道增强型场效应管（MOSFET），采用先进的 PowerPAK® SO-8 封装，专为高效率和高密度应用设计。凭借其优秀的电气特性，该 MOSFET 广泛应用于电源管理、马达驱动、开关电源和各种功率控制电路中，旨在满足现代电子产品对高效能、低损耗和小型化设计的要求。

主要规格参数

• 漏源电压 (Vdss): 最大 80V，适用于中等电压应用。
• 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境下，最大可以承受 7.6A，具备良好的导电能力。
• 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 最小值为 2V @ 250μA，确保在低电压条件下开启。
• 漏源导通电阻 (Rds(on)): 在 10A 和 10V 条件下，最大 16.5 毫欧的导通电阻，显著降低传导损耗。
• 最大功率耗散 (Pd): Tai=25°C 时最大为 1.9W，保证了有效的热管理。
• 工作环境温度: 适应范围为 -55℃ 到 +150℃，适合各种苛刻环境的应用。

设计与封装

SI7852DP-T1-E3 的 PowerPAK® SO-8 封装设计提供了优异的散热性能与紧凑的空间占用，使其非常适合高密度的电路板设计。该封装不仅支持高电流，还为整个系统提供了稳定的电源管理解决方案，特别是在空间受限的应用场合。

性能优势

1. 高效率: 采用先进的 MOSFET 技术与低 Rds(on) 特性，大幅度降低了电源的开关损耗，提高了整体工作效率。
2. 低发热: 由于导通电阻低，减少了功率损失，使得元件在高负载下的发热量显著降低，延长了系统的使用寿命。
3. 宽广的应用范围: 从消费者电子产品到工业设备，该 MOSFET 的广泛工作温度范围与高耐压能力使其在众多应用中保持良好性能。

应用领域

SI7852DP-T1-E3 可广泛应用于以下领域：

• 开关电源（SMPS），如适配器和电源模块。
• DC-DC 转换器，尤其在需要高转化效率的场合。
• 马达驱动器，适用于小功率电机和家电设备。
• LED 驱动，以及其他需要高频率开关控制的电路。
• 各类消费电子设备，如笔记本电脑、手机充电器等。

结论

综上所述，SI7852DP-T1-E3 作为 VISHAY（威世）推出的高效 N 沟道 MOSFET，以其优秀的电气特性与适应性，成为现代电子设计中的理想选择。其先进的封装设计、优良的导电性能及宽温工作范围，使其在电源管理、马达驱动等众多应用中均表现出色，为电子设计师提供了强有力的支持与解决方案。