类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 80V |
连续漏极电流(Id) | 7.6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 16.5mΩ@10V,10A |
功率(Pd) | 1.9W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 41nC@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
SI7852DP-T1-E3 是由知名电子元器件制造商 VISHAY(威世)推出的高性能 N 沟道增强型场效应管(MOSFET),采用先进的 PowerPAK® SO-8 封装,专为高效率和高密度应用设计。凭借其优秀的电气特性,该 MOSFET 广泛应用于电源管理、马达驱动、开关电源和各种功率控制电路中,旨在满足现代电子产品对高效能、低损耗和小型化设计的要求。
SI7852DP-T1-E3 的 PowerPAK® SO-8 封装设计提供了优异的散热性能与紧凑的空间占用,使其非常适合高密度的电路板设计。该封装不仅支持高电流,还为整个系统提供了稳定的电源管理解决方案,特别是在空间受限的应用场合。
SI7852DP-T1-E3 可广泛应用于以下领域:
综上所述,SI7852DP-T1-E3 作为 VISHAY(威世)推出的高效 N 沟道 MOSFET,以其优秀的电气特性与适应性,成为现代电子设计中的理想选择。其先进的封装设计、优良的导电性能及宽温工作范围,使其在电源管理、马达驱动等众多应用中均表现出色,为电子设计师提供了强有力的支持与解决方案。