SI7852DP-T1-E3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI7852DP-T1-E3

商品编码: BM0000286288
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
PowerPAK® SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.131g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.9W 80V 7.6A 1个N沟道 PowerPAK-SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
8.19
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥8.19
--
3000+
¥7.91
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI7852DP-T1-E3参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)7.6A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)16.5mΩ@10V,10A
功率(Pd)1.9W阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)41nC@10V工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

SI7852DP-T1-E3手册

SI7852DP-T1-E3概述

SI7852DP-T1-E3 产品概述

产品背景与市场定位

SI7852DP-T1-E3 是由知名电子元器件制造商 VISHAY(威世)推出的高性能 N 沟道增强型场效应管(MOSFET),采用先进的 PowerPAK® SO-8 封装,专为高效率和高密度应用设计。凭借其优秀的电气特性,该 MOSFET 广泛应用于电源管理、马达驱动、开关电源和各种功率控制电路中,旨在满足现代电子产品对高效能、低损耗和小型化设计的要求。

主要规格参数

  • 漏源电压 (Vdss): 最大 80V,适用于中等电压应用。
  • 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境下,最大可以承受 7.6A,具备良好的导电能力。
  • 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 最小值为 2V @ 250μA,确保在低电压条件下开启。
  • 漏源导通电阻 (Rds(on)): 在 10A 和 10V 条件下,最大 16.5 毫欧的导通电阻,显著降低传导损耗。
  • 最大功率耗散 (Pd): Tai=25°C 时最大为 1.9W,保证了有效的热管理。
  • 工作环境温度: 适应范围为 -55℃ 到 +150℃,适合各种苛刻环境的应用。

设计与封装

SI7852DP-T1-E3 的 PowerPAK® SO-8 封装设计提供了优异的散热性能与紧凑的空间占用,使其非常适合高密度的电路板设计。该封装不仅支持高电流,还为整个系统提供了稳定的电源管理解决方案,特别是在空间受限的应用场合。

性能优势

  1. 高效率: 采用先进的 MOSFET 技术与低 Rds(on) 特性,大幅度降低了电源的开关损耗,提高了整体工作效率。
  2. 低发热: 由于导通电阻低,减少了功率损失,使得元件在高负载下的发热量显著降低,延长了系统的使用寿命。
  3. 宽广的应用范围: 从消费者电子产品到工业设备,该 MOSFET 的广泛工作温度范围与高耐压能力使其在众多应用中保持良好性能。

应用领域

SI7852DP-T1-E3 可广泛应用于以下领域:

  • 开关电源(SMPS),如适配器和电源模块。
  • DC-DC 转换器,尤其在需要高转化效率的场合。
  • 马达驱动器,适用于小功率电机和家电设备。
  • LED 驱动,以及其他需要高频率开关控制的电路。
  • 各类消费电子设备,如笔记本电脑、手机充电器等。

结论

综上所述,SI7852DP-T1-E3 作为 VISHAY(威世)推出的高效 N 沟道 MOSFET,以其优秀的电气特性与适应性,成为现代电子设计中的理想选择。其先进的封装设计、优良的导电性能及宽温工作范围,使其在电源管理、马达驱动等众多应用中均表现出色,为电子设计师提供了强有力的支持与解决方案。