SIR426DP-T1-GE3
SIR426DP-T1-GE3参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 10.5mΩ@10V,30A |
| 功率(Pd) | 26.7W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 9.3nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.16nF@20V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 70pF@20V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SIR426DP-T1-GE3手册
SIR426DP-T1-GE3概述
SIR426DP-T1-GE3 产品概述
概述
SIR426DP-T1-GE3 是一种高性能 N 沟道 MOSFET（场效应管），由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）提供。该MOSFET以其优越的电流承载能力和低导通电阻特点，广泛应用于电源管理、电机驱动、开关电源以及其他要求高效率和高可靠性的领域。凭借其先进的 PowerPAK® SO-8 封装，SIR426DP-T1-GE3 提供了卓越的热性能和空间节省，使其在紧凑的系统设计中表现出色。
关键参数
漏源电压（Vdss）: 该器件的最大漏源电压为 40V，适合多种中等电压应用场景，能够有效处理高电压工作条件。
连续漏极电流（Id）: 在25°C的环境温度下，SIR426DP-T1-GE3 可承载高达 30A 的连续漏极电流，这使其能够满足许多高电流负载的驱动需求。
导通电阻（Rds(on)）: 在 4.5V 的驱动电压下，导通电阻仅为 10.5 毫欧 @ 15A，这意味着该MOSFET在工作状态下可以实现低功率损耗，提高整体能效。
功率耗散: SIR426DP-T1-GE3 在室温（Ta=25°C）下的最大功率耗散为 4.8W，而在结温（Tc）情况下则达到 41.7W，指示该器件在高负荷状态下的热管理能力。
工作温度范围: 该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适合在严苛环境下运行，确保长期稳定性和可靠性。
输入电容（Ciss）和栅极电荷（Qg）: 在 20V 的条件下，其输入电容为 1160pF，而在 10V 时的栅极电荷最大值为 31nC，保证了良好的开关特性和低开关损耗。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 该器件在 250µA 流量下，栅源极阈值电压为 2.5V，指示其适合使用低电压驱动信号。
封装: SIR426DP-T1-GE3 使用 PowerPAK® SO-8 封装，具有出色的散热能力和较小的占用空间，适用于有限空间内的电路设计。
应用领域
SIR426DP-T1-GE3 的设计使其非常适合多种应用场景，特别是在以下领域表现突出：
DC-DC 转换器: 在开关电源及直流-直流转换器中，用作主开关和同步整流器，提供高效的电力转换。
电机驱动: 用于驱动各类电动机，包括直流电机和步进电机，提供高效的工作性能和较低的热量产生。
LED 驱动电路: 在LED照明和其他照明领域，作为开关驱动器，实现高功率效率。
电源管理: 可用于各种电源管理解决方案中，提高电力传输效率和系统整体性能。
总结
总之，SIR426DP-T1-GE3 是一款性价比高且性能优越的 N 沟道 MOSFET，适合在苛刻环境和高负荷条件下工作。凭借其超低的导通电阻、较广的工作温度范围及优异的功率耗散能力，SIR426DP-T1-GE3 能够满足多个高效电源管理及驱动方案的需求，是现代电力电子设计中不可或缺的重要组件。无论是用于工业、汽车还是消费电子领域，该MOSFET均为设计工程师提供了灵活性和可靠性。