SIS412DN-T1-GE3
SIS412DN-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 12A |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 24mΩ @ 7.8A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 3.2W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 24 毫欧 @ 7.8A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 435pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 3.2W（Ta），15.6W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
SIS412DN-T1-GE3手册
SIS412DN-T1-GE3概述
产品概述：SIS412DN-T1-GE3 MOSFET
一、基本特性
SIS412DN-T1-GE3 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，主要由 VISHAY（威世）公司生产，采用 PowerPAK® 1212-8 封装，旨在满足现代电子设备对高效能与高可靠性的需求。其关键参数包括：漏源电压（Vdss）为 30V，连续漏极电流（Id）为 12A，以及最大功率耗散为 3.2W（在 25°C 环境温度下），并可在更高结温下达到 15.6W 的功率耗散能力。
二、电气参数
漏源电压 (Vdss)：该 MOSFET 能承受的最大漏源电压为 30V，非常适合用于低压电源开关和转换电路中。
连续漏极电流 (Id)：在 25°C 环境温度下，12A 的持续电流能力使其能够在大多数应用场景中以安全且有效的方式运行，保证了设备的稳定性。
栅源极阈值电压 (Vgs(th))：该器件具有 2.5V 的阈值电压，确保其在较低的启动电压下即可有效工作，提高了电源管理的灵活性。
导通电阻 (Rds(on))：在 10V 的栅驱动电压下，其最大导通电阻为 24mΩ（@ 7.8A），确保了低的导通损耗，从而提高了系统效率，降低了电能的浪费。
栅极电荷 (Qg)：在 10V 下，栅极电荷为 12nC，表明该 MOSFET 在频繁开关时具有良好的控制特性，适用于高频开关应用。
三、应用领域
SIS412DN-T1-GE3 因其优良的电气特性，广泛应用于诸如电源管理、DC-DC 转换器、马达驱动器以及其他需要快速开关的功率电路中。其合理的电流和电压范围使其成为许多消费电子产品、高性能计算机及工业设备中理想的开关元件。
四、环境适应性
该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，使其能够在极端环境条件下正常工作，尤其适合于汽车电子和工业自动化应用中对温度变化敏感的应用场景。同时，其最大电压和电流参数的设计也保证了长时间运行的稳定性和可靠性。
五、封装与安装
采用 PowerPAK® 1212-8 封装，该器件的表面贴装设计使其能够轻松集成到现代 PCB设计中，从而有效节约空间。此封装在减小顶置空间的同时，也提供了良好的散热性能，进一步提高了器件的使用寿命。
六、总结
总体而言，SIS412DN-T1-GE3 是一款出色的 N 沟道 MOSFET，凭借其优越的电气性能、宽广的工作温度范围和灵活的应用领域，成为了电子设计工程师在选择功率开关时的优先考虑设备。无论是在高效能电源转换、电机驱动，还是在复杂的电源管理系统中，该 MOSFET 都能提供卓越的表现，帮助实现高效、可靠的电气解决方案。