类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 13.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 500mΩ@10V,6A |
功率(Pd) | 160W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 75nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.22nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 57pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STB14NK60ZT4是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高性能N沟道MOSFET,具备卓越的电气性能和热管理能力,适用于各种高压和高频率的电子应用。这款MOSFET采用D2PAK封装,专为表面贴装(SMT)设计,易于集成进现代电子电路中。
STB14NK60ZT4广泛用于各种高压和高频电子设备,包括但不限于:
STB14NK60ZT4是一款兼具高性能和高稳定性的N沟道MOSFET,凭借其600V漏源电压、13.5A连续漏电流以及优秀的导通性能,成为了高压及高频电子应用的理想选择。其广泛的工作温度范围和高功率处理能力使其在恶劣环境下仍能保持稳定运行,为设计师在电源管理与控制系统的实现上提供了强有力的支持。选择STB14NK60ZT4,将助力于您的电路设计走向更高的效率与可靠性。