类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 12A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@10V,6A |
功率(Pd) | 42.8W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
产品简介
STD12NF06LT4 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由意法半导体(STMicroelectronics)生产。其主要用于高效电源管理、高频开关和各种电子应用中。该 MOSFET 采用 DPAK 贴片封装,具备优良的热性能和电气特性,能在宽广的温度范围内稳定工作。
关键特性
电气参数:
技术参数:
热特性:
封装和安装:
应用领域
STD12NF06LT4 MOSFET 在电力电子、开关电源、LED 驱动、高速开关、数据中心和通信基础设施等多个领域都有广泛应用。其高压和高电流特性使得它适用于需要高效率和高可靠性的电源管理解决方案。此 MOSFET 也非常适合电动汽车、电池管理系统及其它需进行快速转换的应用场景。
总结
STD12NF06LT4 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET,设计用于高电压和高电流应用,凭借其优异的电气特性和适应性,成为现代电子设备不可或缺的组件。无论是在电源管理还是在功率转换方面,它都能提供出色的性能支持,为工程师和设计师的创新提供助力。选择 STD12NF06LT4,无疑是为您的系统增添高效能和可靠性的明智之举。