类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 12A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 320mΩ@10V,6A |
功率(Pd) | 110W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 19nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 700pF@100V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 1.2pF@100V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STD16N60M2 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。该器件专为高压应用设计,其主要特点包括耐压能力强,可以承受高达 600V 的漏源电压,并具备 12A 的连续漏极电流能力(在 25°C 条件下)。在现代电源管理和开关控制电路中,它表现出色,是许多高效能应用中的理想选择。
产品的关键电气参数如下:
STD16N60M2 使用 TO-252(DPAK)封装类型,是一种表面贴装型组件。这种封装设计不仅尺寸小、效率高,而且具备良好的散热性能,适合大规模的自动化贴装和在狭窄空间内的集成使用。
STD16N60M2 在多种应用场景中表现优异,具体包括:
STD16N60M2 是一款性能优越的高压 N 沟道 MOSFET,凭借其宽广的工作范围、低导通电阻以及高功率承载能力,成为现代电子设计中不可或缺的核心元件。无论是在消费电子、工业控制还是电源管理领域,它都能够为设计师提供灵活的解决方案,帮助实现高效、可靠的电力控制系统。