类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.7Ω@10V,2A |
功率(Pd) | 70W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@50uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 18.8nC@480V | 输入电容(Ciss@Vds) | 510pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 13pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STD4NK60Z-1 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,专为高压和高效能应用而设计。其采用了先进的金属氧化物半导体技术,具备卓越的电流承载能力和低导通电阻,使其在各种电力电子应用中表现出色。这款 MOSFET 的最大漏源极电压(Vdss)为 600V,最大连续漏极电流(Id)为 4A,能够很好地满足许多工业和消费电子场合的需求。
STD4NK60Z-1 配备 TO-251-3 短引线封装(也称为 I-PAK),采用通孔安装(THT)方式,便于在不同类型的电路板上进行集成。该封装在尺寸上相对紧凑,适合在空间有限的设计中使用。其优越的散热能力使得在高功率环境下仍能保持稳定工作,最大功率耗散达到 70W,这对于高功率转换器及开关电源设计尤为重要。
STD4NK60Z-1 的关键电气特性如下:
STD4NK60Z-1 的工作温度范围广泛,从 -55°C 到 +150°C,使其能够在严苛环境下稳定工作。这使得该 MOSFET 可广泛应用于高温和低温的工作条件,适合于汽车、电网和工业控制等领域。
STD4NK60Z-1 的设计使其适用于不同类型的应用场景,包括:
综上所述,STD4NK60Z-1 是一款特性优越、价格合理的 N 沟道 MOSFET,适用于各种高电压和高电流应用。其小巧的封装和杰出的电气性能使其成为现代电力电子设备中的关键组件。无论是在开关电源、直流-直流转换器,还是逆变器和电机控制系统中,STD4NK60Z-1 都表现出了卓越的性能。因此,作为电力电子设计中不可或缺的伙伴,它为众多应用提供了高效、可靠的解决方案。