STD5N95K5

产品概述：STD5N95K5 N沟道MOSFET

一、基本信息

STD5N95K5是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），其主要特点包括：漏源电压（Vdss）为950V，连续漏极电流（Id）为3.5A（在25°C时），以及最大功率耗散为70W。该器件采用DPAK封装，符合表面贴装的需求，适用于众多电子应用场合。

二、技术参数

1. 漏源电压（Vdss）： 950V

   • 该参数表示器件能够承受的最大漏源电压，这使得STD5N95K5非常适合用于高电压应用中，提供了良好的电气隔离。

2. 连续漏极电流（Id）： 3.5A (Tc)

   • 在25°C的环境条件下，器件能够持续承受3.5A的漏极电流，适合中等负载电流的应用。

3. 栅源极阈值电压（Vgs(th)）： 5V @ 100µA

   • 起始导通所需的电压为5V，具备良好的驱动特性，便于与多种控制电路搭配。

4. 漏源导通电阻（Rds(on)）： 2.5Ω @ 1.5A, 10V

   • 在1.5A的通电条件下，导通电阻仅为2.5Ω。这意味着在工作状态下能有效降低功耗，提高效率。

5. 输入电容（Ciss）： 220pF @ 100V

   • 相对较低的输入电容减少了在控制过程中所需的驱动能量，提升开关频率性能。

6. 工作温度范围： -55°C ~ 150°C (TJ)

   • 广泛的工作温度范围，适用于恶劣的环境条件。

7. 封装类型： DPAK (TO-252-3)

   • 该封装形态支持高功率的散热需求，适合表面贴装技术。

三、应用领域

STD5N95K5由于其高电压和高功率的特性，适用于多种应用场景，包括但不限于：

• 开关电源： 在各种开关电源中，需要高效的开关能力，STD5N95K5可作为主要的开关器件，提高电源效率。
• 电机驱动： 在电机驱动系统中，能有效控制电机的启停和调速，是一种理想的选择。
• 逆变器： 在太阳能逆变器和电动汽车驱动系统中，作为关键的开关器件，保证高效率和高可靠性。
• 电力电子： 适用于电力电子转换器及相关领域，能够承受较高的工作电压和电流。

四、总结

STD5N95K5作为意法半导体推出的N沟道MOSFET，不仅具有高电压、高电流和低导通电阻的优良特性，还具备良好的热管理能力，适应广泛的工作温度范围。这款器件因其出色的性能，已经成为电子设计工程师在高电压、高功率应用中的首选器件之一。

无论是在设计开关电源、电机驱动，还是在实现高效能电力转换和电力电子应用，STD5N95K5都能提供可靠的解决方案。借助其优化的规格和高效的驱动能力，它将为各种应用场景增添无限可能。