类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 950V |
连续漏极电流(Id) | 3.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.5Ω@10V,1.5A |
功率(Pd) | 70W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 12.5nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 220pF@100V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
STD5N95K5是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能N沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET),其主要特点包括:漏源电压(Vdss)为950V,连续漏极电流(Id)为3.5A(在25°C时),以及最大功率耗散为70W。该器件采用DPAK封装,符合表面贴装的需求,适用于众多电子应用场合。
漏源电压(Vdss): 950V
连续漏极电流(Id): 3.5A (Tc)
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 5V @ 100µA
漏源导通电阻(Rds(on)): 2.5Ω @ 1.5A, 10V
输入电容(Ciss): 220pF @ 100V
工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)
封装类型: DPAK (TO-252-3)
STD5N95K5由于其高电压和高功率的特性,适用于多种应用场景,包括但不限于:
STD5N95K5作为意法半导体推出的N沟道MOSFET,不仅具有高电压、高电流和低导通电阻的优良特性,还具备良好的热管理能力,适应广泛的工作温度范围。这款器件因其出色的性能,已经成为电子设计工程师在高电压、高功率应用中的首选器件之一。
无论是在设计开关电源、电机驱动,还是在实现高效能电力转换和电力电子应用,STD5N95K5都能提供可靠的解决方案。借助其优化的规格和高效的驱动能力,它将为各种应用场景增添无限可能。