类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.6Ω@10V,2.5A |
功率(Pd) | 90W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@50uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 34nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 690pF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
STD5NK60ZT4是一款高性能阴极为N型的MOSFET(场效应晶体管),由意法半导体(STMicroelectronics)生产。该器件的设计用于高压和高效率的开关电源、逆变器、电动机驱动等应用,具备良好的热稳定性和高效的电源管理能力。
高压承受能力:漏源电压(Vdss)为600V,使得该MOSFET适用于高电压应用。它能够承受的高电压使其在电力电子、电源转换和其他需要高压的场合表现出色。
良好的电流承载能力:在25°C环境温度下,连续漏极电流(Id)可达5A(在规定的控制环境下,Tc),即使在较高工作温度下,仍可保持良好的性能,这使其能够满足多种应用中的动态性能需求。
导通电阻较低:漏源导通电阻(Rds(on))在2.5A和10V驱动电压时为1.6Ω,保证了在开启状态下的功耗降低,提升了整机的效率,并减少了散热需求。
栅源电压阈值:具备栅源极阈值电压为4.5V @ 50µA,能够保证在合理的栅驱电压下便可以导通,为电路设计提供了灵活性。
高功率处理能力:最大功率耗散为90W(在Tc条件下),这一特性使其能够在高功率应用中稳定运行。
宽广工作温度范围:工作温度范围为-55°C至150°C,确保在恶劣环境下的可靠性,使其适合在多种工业及汽车应用中使用。
STD5NK60ZT4广泛用于以下应用:
STD5NK60ZT4采用DPAK封装,这种表面贴装型封装不仅具有良好的散热性能,还节省了电路板空间,提升了整体设计的紧凑性。DPAK封装通常用于要求高功率和高热性能的应用场合。
STD5NK60ZT4是一款性能优异、可靠性高的N沟道MOSFET,适用于各种高压和高效能的电源管理应用。其高失败电压、低导通电阻和宽温工作范围使其成为电力电子设计中的理想选择。无论是用于电动机控制、开关电源,还是在电动汽车领域,STD5NK60ZT4都能显著提升系统效率与稳定性,是现代电子设计中不可或缺的元器件之一。