STD5NK60ZT4

产品概述：STD5NK60ZT4 N沟道MOSFET

一、基本信息

STD5NK60ZT4是一款高性能阴极为N型的MOSFET（场效应晶体管），由意法半导体（STMicroelectronics）生产。该器件的设计用于高压和高效率的开关电源、逆变器、电动机驱动等应用，具备良好的热稳定性和高效的电源管理能力。

二、主要特性

1. 高压承受能力：漏源电压（Vdss）为600V，使得该MOSFET适用于高电压应用。它能够承受的高电压使其在电力电子、电源转换和其他需要高压的场合表现出色。

2. 良好的电流承载能力：在25°C环境温度下，连续漏极电流（Id）可达5A（在规定的控制环境下，Tc），即使在较高工作温度下，仍可保持良好的性能，这使其能够满足多种应用中的动态性能需求。

3. 导通电阻较低：漏源导通电阻（Rds(on)）在2.5A和10V驱动电压时为1.6Ω，保证了在开启状态下的功耗降低，提升了整机的效率，并减少了散热需求。

4. 栅源电压阈值：具备栅源极阈值电压为4.5V @ 50µA，能够保证在合理的栅驱电压下便可以导通，为电路设计提供了灵活性。

5. 高功率处理能力：最大功率耗散为90W（在Tc条件下），这一特性使其能够在高功率应用中稳定运行。

6. 宽广工作温度范围：工作温度范围为-55°C至150°C，确保在恶劣环境下的可靠性，使其适合在多种工业及汽车应用中使用。

三、器件规格

• 漏源电压（Vdss）: 600V
• 连续漏极电流（Id）: 5A (Tc)
• 栅源极阈值电压: 4.5V @ 50µA
• 导通电阻: 1.6Ω @ 2.5A, 10V
• 最大功率耗散: 90W (Ta=25°C)
• 驱动电压: 10V
• 栅极电荷 (Qg): 34nC @ 10V
• 输入电容: 690pF @ 25V
• Vgs（最大值）: ±30V
• 封装类型: DPAK (TO-252-3)
• 工作温度: -55°C ~ 150°C

四、应用领域

STD5NK60ZT4广泛用于以下应用：

• 电源管理：在高效开关电源和DC-DC转换器中，用于提高能量转换效率。
• 电动机控制：适合于各种电动机驱动系统，包括电动工具、家用电器及工业自动化。
• 逆变器：广泛应用于太阳能逆变器、UPS系统等需要将直流电转换为交流电的场合。
• 汽车应用：由于其高温暴露能力，此器件也适合在汽车电气系统中使用。

五、封装说明

STD5NK60ZT4采用DPAK封装，这种表面贴装型封装不仅具有良好的散热性能，还节省了电路板空间，提升了整体设计的紧凑性。DPAK封装通常用于要求高功率和高热性能的应用场合。

六、结论

STD5NK60ZT4是一款性能优异、可靠性高的N沟道MOSFET，适用于各种高压和高效能的电源管理应用。其高失败电压、低导通电阻和宽温工作范围使其成为电力电子设计中的理想选择。无论是用于电动机控制、开关电源，还是在电动汽车领域，STD5NK60ZT4都能显著提升系统效率与稳定性，是现代电子设计中不可或缺的元器件之一。