类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 800V |
连续漏极电流(Id) | 6.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.05Ω@10V,3.25A |
功率(Pd) | 90W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 18nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 620pF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
STD7NM80 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET)。该器件适用于要求高电压和高电流承载能力的应用,其具有优良的导通性能和低导通损耗。STD7NM80 主要应用于开关电源、逆变器、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他高能效电路。
STD7NM80 具备额定漏源电压(Vdss)800V 和连续漏极电流(Id)6.5A(在 25°C 时,Tc 条件下)。这种高电压和高电流规格使其能够在严苛的工作环境下稳定运行。
低导通电阻: STD7NM80 的最大导通电阻为 1.05Ω,当电流为 3.25A 且栅源电压为 10V 时,低 Rds(on) 使得在工作时产生的热量减少,这对提升能效非常重要。
高额定电流和电压: 器件能够承受高达 800V 的电压和 6.5A 的电流,使其非常适合用于高压和高功率的电源应用。
宽工作温度范围: 宽温度范围(-55°C 至 150°C)使其在极端环境下也能稳定工作,适合各种严苛的工业应用。
表面贴装型封装: 使用 DPAK 封装设计,使得安装和散热性能得到优化,适用于现代表面贴装生产工艺。
低栅极电荷: 在栅源电压为 10V 时,栅极电荷(Qg)最大为 18nC,表明该器件在开关频率达到高效率时,驱动要求较低。
STD7NM80 适用于多种电子设备和系统中,包括但不限于:
STD7NM80 是一款广泛应用于高性能及高电压应用场合的 N 通道 MOSFET. 通过其低导通电阻、高额定电压和电流、以及较宽的工作温度范围,使其在电源管理、逆变、电机控制等领域具有极好的适用性。意法半导体凭借其出色的产品质量和技术支持,使这一产品在市场中取得了许多成功应用,成为工程师们设计高效能电路的首选器件之一。