STD7NM80

产品概述：STD7NM80 N 通道 MOSFET

一、产品简介

STD7NM80 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET）。该器件适用于要求高电压和高电流承载能力的应用，其具有优良的导通性能和低导通损耗。STD7NM80 主要应用于开关电源、逆变器、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他高能效电路。

二、基本参数

STD7NM80 具备额定漏源电压（Vdss）800V 和连续漏极电流（Id）6.5A（在 25°C 时，Tc 条件下）。这种高电压和高电流规格使其能够在严苛的工作环境下稳定运行。

• 漏源电压（Vdss）: 800V
• 连续漏极电流（Id）: 6.5A @ 25°C(Tc)
• 栅源阈值电压（Vgs(th)）: 5V @ 250µA
• 导通电阻（Rds(on)）: 1.05Ω @ 3.25A，10V
• 最大功率耗散: 90W @ Ta=25°C
• 工作温度范围: -55°C 至 150°C
• 封装类型: DPAK (TO-252-3)

三、性能特点

1. 低导通电阻: STD7NM80 的最大导通电阻为 1.05Ω，当电流为 3.25A 且栅源电压为 10V 时，低 Rds(on) 使得在工作时产生的热量减少，这对提升能效非常重要。

2. 高额定电流和电压: 器件能够承受高达 800V 的电压和 6.5A 的电流，使其非常适合用于高压和高功率的电源应用。

3. 宽工作温度范围: 宽温度范围（-55°C 至 150°C）使其在极端环境下也能稳定工作，适合各种严苛的工业应用。

4. 表面贴装型封装: 使用 DPAK 封装设计，使得安装和散热性能得到优化，适用于现代表面贴装生产工艺。

5. 低栅极电荷: 在栅源电压为 10V 时，栅极电荷（Qg）最大为 18nC，表明该器件在开关频率达到高效率时，驱动要求较低。

四、应用领域

STD7NM80 适用于多种电子设备和系统中，包括但不限于：

• 开关电源（SMPS）: 在现代开关电源中，经常需要高效的 MOSFET 以实现高效率和低损耗。
• DC-DC 转换器: 可用于对电压进行升降转换的系统，要求 MOSFET 的快速开关特性。
• 逆变器: 在太阳能逆变器和电动车逆变器中，MOSFET 被广泛应用于将直流电转换为交流电。
• 电机驱动: 在各类电机驱动器中，MOSFET 用作开关以控制电机的启停和方向。
• LED 驱动电路: 高效驱动大功率 LED 的场合。

五、总结

STD7NM80 是一款广泛应用于高性能及高电压应用场合的 N 通道 MOSFET. 通过其低导通电阻、高额定电压和电流、以及较宽的工作温度范围，使其在电源管理、逆变、电机控制等领域具有极好的适用性。意法半导体凭借其出色的产品质量和技术支持，使这一产品在市场中取得了许多成功应用，成为工程师们设计高效能电路的首选器件之一。