STD7NM80 产品实物图片
STD7NM80 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STD7NM80

商品编码: BM0000286397
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
DPAK
包装 : 
编带
重量 : 
0.476g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 90W 800V 6.5A 1个N沟道 DPAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
4.66
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.66
--
2500+
¥4.46
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

STD7NM80参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)6.5A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.05Ω@10V,3.25A
功率(Pd)90W阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)18nC@10V输入电容(Ciss@Vds)620pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

STD7NM80手册

STD7NM80概述

产品概述:STD7NM80 N 通道 MOSFET

一、产品简介

STD7NM80 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET)。该器件适用于要求高电压和高电流承载能力的应用,其具有优良的导通性能和低导通损耗。STD7NM80 主要应用于开关电源、逆变器、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他高能效电路。

二、基本参数

STD7NM80 具备额定漏源电压(Vdss)800V 和连续漏极电流(Id)6.5A(在 25°C 时,Tc 条件下)。这种高电压和高电流规格使其能够在严苛的工作环境下稳定运行。

  • 漏源电压(Vdss): 800V
  • 连续漏极电流(Id): 6.5A @ 25°C(Tc)
  • 栅源阈值电压(Vgs(th)): 5V @ 250µA
  • 导通电阻(Rds(on)): 1.05Ω @ 3.25A,10V
  • 最大功率耗散: 90W @ Ta=25°C
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C
  • 封装类型: DPAK (TO-252-3)

三、性能特点

  1. 低导通电阻: STD7NM80 的最大导通电阻为 1.05Ω,当电流为 3.25A 且栅源电压为 10V 时,低 Rds(on) 使得在工作时产生的热量减少,这对提升能效非常重要。

  2. 高额定电流和电压: 器件能够承受高达 800V 的电压和 6.5A 的电流,使其非常适合用于高压和高功率的电源应用。

  3. 宽工作温度范围: 宽温度范围(-55°C 至 150°C)使其在极端环境下也能稳定工作,适合各种严苛的工业应用。

  4. 表面贴装型封装: 使用 DPAK 封装设计,使得安装和散热性能得到优化,适用于现代表面贴装生产工艺。

  5. 低栅极电荷: 在栅源电压为 10V 时,栅极电荷(Qg)最大为 18nC,表明该器件在开关频率达到高效率时,驱动要求较低。

四、应用领域

STD7NM80 适用于多种电子设备和系统中,包括但不限于:

  • 开关电源(SMPS): 在现代开关电源中,经常需要高效的 MOSFET 以实现高效率和低损耗。
  • DC-DC 转换器: 可用于对电压进行升降转换的系统,要求 MOSFET 的快速开关特性。
  • 逆变器: 在太阳能逆变器和电动车逆变器中,MOSFET 被广泛应用于将直流电转换为交流电。
  • 电机驱动: 在各类电机驱动器中,MOSFET 用作开关以控制电机的启停和方向。
  • LED 驱动电路: 高效驱动大功率 LED 的场合。

五、总结

STD7NM80 是一款广泛应用于高性能及高电压应用场合的 N 通道 MOSFET. 通过其低导通电阻、高额定电压和电流、以及较宽的工作温度范围,使其在电源管理、逆变、电机控制等领域具有极好的适用性。意法半导体凭借其出色的产品质量和技术支持,使这一产品在市场中取得了许多成功应用,成为工程师们设计高效能电路的首选器件之一。