类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 1.5kV |
连续漏极电流(Id) | 4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7Ω@10V,2A |
功率(Pd) | 63W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 50nC@600V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.3nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 12pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STFW4N150 是由意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高压 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),旨在满足现代电力电子应用中对高电压和高功率的需求。该产品的设计目标是提高能效和系统可靠性,广泛应用于电源管理、逆变器、开关电源等多个领域。
高漏源电压(Vdss): STFW4N150 的漏源电压额定值高达 1500V,使其能够在高压环境下可靠工作,适用于高压直流电源和工业用途。
连续漏极电流(Id): 本器件在 25°C 的环境条件下能够持续承载 4A 的漏极电流(Id),为各种电流负载提供稳定的操作性能。
导通电阻(Rds(on)): 当漏极电流达到 2A,栅极驱动电压为 10V 时,导通电阻为 7Ω。这一特性在降低开关损耗和提高效率方面发挥着重要作用,尤其在高频开关应用中。
额定功率耗散: STFW4N150 的最大功率耗散为 63W(在体温 Tc 为 25°C 时),这使得其在高功率场合中表现出良好的热管理能力和效率。
宽栅源电压范围: 最大栅源电压可达到 ±30V,为设计提供了灵活性。栅源极的阈值电压为 5V @ 250µA,确保了器件能够在较低的门电压下有效导通,简化了驱动电路的设计。
优秀的电容特性: 输入电容(Ciss) 在 25V 时的值为 1300pF,保证了在高频操作时候的稳定性和响应速度。这一特性使得 STFW4N150 在高频转换应用中具有广阔的应用潜力。
工作温度范围: 器件的工作温度高达 150°C (TJ),适应了更为严苛的工作环境,确保在极端条件下的可靠性。
封装类型: STFW4N150 采用 ISOWATT-218FX 封装,这种通孔安装设计能够有效提高散热性能,适合板级应用。
STFW4N150 适用于多种电力电子应用,包括但不限于:
STFW4N150 MOSFET 是一款适应现代电力电子需求的高性能器件,以其高漏源电压、高功率耗散能力、较低的导通电阻及优秀的热管理性能,极大地丰富了用户的设计空间。在未来的电子产品中,STFW4N150 将继续凭借其卓越的性能和可靠性,满足不断变化的市场需求,是电力电子行业中不可或缺的核心元件之一。