集射极击穿电压(Vces) | 600V | 集电极电流(Ic) | 15A |
功率(Pd) | 56W | 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) | 2.5V@15V,3A |
栅极电荷(Qg@Ic,Vge) | 13.6nC | 开启延迟时间(Td(on)) | 12ns |
关断延迟时间(Td(off)) | 76ns | 导通损耗(Eon) | 0.02mJ |
关断损耗(Eoff) | 0.068mJ | 反向恢复时间(Trr) | 21ns |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
STGD6NC60HDT4是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能绝缘栅双极型晶体管(IGBT),专门用于电力转换及控制应用。凭借其高电压和电流承载能力,该器件在多个应用场合中表现优异,为诸如逆变器、电机驱动、开关电源等领域提供了可靠的解决方案。
STGD6NC60HDT4采用DPAK封装(TO-252-3),是一种表面贴装型的元器件,适合现代电子电路的高密度布局。该封装具有良好的散热性能和电气性能,适合自动贴装并能在各种PCB应用中得到广泛应用。
STGD6NC60HDT4作为一款高效、高性能的IGBT,凭借其优异的电气性能和可靠的机械特性,已成为电力电子领域中一款非常成熟的产品。无论是用于可再生能源的逆变器,还是用于电机驱动与开关电源,其都提供了一个理想的解决方案。凭借意法半导体在行业中的领先地位和丰富经验,STGD6NC60HDT4无疑是高性能电力电子设计的优选材料。