类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 13A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 285mΩ@10V,6.5A |
功率(Pd) | 110W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 35nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1nF@50V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 3pF@50V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STP18NM60N是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N沟道功率MOSFET,具有600V的漏源电压(Vds)和13A的连续漏极电流(Id),采用TO-220-3封装,适用于高压应用。该器件以其卓越的电气性能而受到青睐,常被用于电源转换、开关模式电源(SMPS)、电机驱动和其他高功率应用中。
由于其强大的电气特性,STP18NM60N广泛应用于多个领域:
STP18NM60N凭借其出色的性能指标和可靠的工作特性,成为现代电源和功率控制应用中不可或缺的组件。无论是在高压电源供应、工业自动化还是家电产品中,STP18NM60N都表现出了卓越的适用性和持续性能。在选择高功率MOSFET时,STP18NM60N无疑是一个理想的选择,为多个应用领域提供了稳定、高效的解决方案。