STP33N60M2 产品实物图片
STP33N60M2 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STP33N60M2

商品编码: BM0000286452
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-220-3
包装 : 
管装
重量 : 
2.887g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 190W 600V 26A 1个N沟道 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
13.36
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥13.36
--
1000+
¥13
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

STP33N60M2参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)26A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)125mΩ@10V,13A
功率(Pd)190W阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA

STP33N60M2手册

STP33N60M2概述

STP33N60M2 产品概述

STP33N60M2 是由意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其主要应用于高压和高电流的电力电子设备。其卓越的电气特性和坚固的封装使其成为电源管理、开关电源、逆变器及其他要求高效能和可靠性的应用中的理想选择。

关键特性

  1. 电气特性

    • 漏源电压(Vdss): STP33N60M2具有高达600V的漏源电压,使其适用于高压应用。
    • 连续漏极电流(Id): 在25°C时,场效应管的连续漏极电流为26A(当散热器温度Tc为25°C时),提供了足够的输出能力以应对大多数工业应用。
    • 导通电阻(Rds(on)): 在10V的栅源电压下,STP33N60M2的导通电阻为125mΩ(在13A时),这有助于降低功耗,提升能效。
  2. 阈值电压和栅源电压

    • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 在250µA的漏电流条件下,其栅源阈值电压为4V,这意味着在相对较低的驱动电压下就可以使开关管导通。
    • 栅极驱动电压: 最小和最大栅源驱动电压为10V,能够保证MOSFET在期望的导通状态下运行。
  3. 散热能力

    • 功率耗散: 该元器件在25°C的环境温度下具备最高190W的功率耗散能力(在Tc条件下),这说明其能够在较高负荷下运行而不至于过热。
    • 工作温度范围: 该MOSFET的工作温度范围广泛,从-55°C至150°C,这使其能够在极端环境条件下正常工作,适应各种应用场景。
  4. 封装与结构

    • 安装类型: STP33N60M2采用通孔封装,封装类型为TO-220-3。这种封装设计不仅便于安装,还增强了散热性,有助于在高负载情况下降低器件温度。

应用场景

STP33N60M2广泛应用于各种电力电子设备中,包括:

  • 开关电源: 其高效能和低导通电阻特性使其非常适合用于AC-DC电源转换器及DC-DC变换器。
  • 逆变器: 在光伏发电、风能转换中,MOSFET的高频开关能力确保了能量的有效转换。
  • 电动汽车: 该MOSFET的高耐压和长寿命特性使其适用于电动汽车的动力转换系统中。
  • 电机驱动: 适用于各类电机控制应用,如伺服电机和步进电机驱动器等。

总结

STP33N60M2以其优越的电气特性、良好的散热能力和耐用的封装结构,成为高压大功率应用领域的重要选择。意法半导体根据市场需求,不断优化其产品性能,使STP33N60M2能够在激烈的市场竞争中脱颖而出。无论是工业设备、开关电源还是电动交通工具,STP33N60M2都能够为客户提供可靠的解决方案,确保系统的高效运行及安全稳定。