类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 500V |
连续漏极电流(Id) | 4.4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.5Ω@10V,2.2A |
功率(Pd) | 70W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@50uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 28nC@400V | 输入电容(Ciss@Vds) | 535pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 17pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STP5NK50Z 是一种高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其工作电压高达 500V,额定电流为 4.4A,最高功率耗散能力为 70W,具备优异的导通特性,适合各类电子应用。它采用 TO-220AB 封装,具有良好的散热性能和易于安装的特点。该器件特别适合用于高电压、高功率的开关电路、反向器以及电源转换器等领域。
STP5NK50Z 器件采用 TO-220AB 封装,具备良好的机械强度和散热特性,使其在高功率应用中能够有效地散热,降低温度上升风险,延长使用寿命。此外,该封装设计便于通过通孔方式进行安装,适合手工焊接或自动化生产。
STP5NK50Z 的高电压和高电流特性使其广泛适用于以下领域:
作为一款高效、可靠的 N 沟道 MOSFET,STP5NK50Z 凭借其卓越的性能参数和宽广的应用范围,成为了电子设计工程师和开发人员的理想选择。它不仅具有较高的耐压能力和负载能力,还具备良好的开关性能,帮助用户在不同应用中实现高效能量管理与控制。在未来的电子应用中,STP5NK50Z 将继续发挥其重要的角色,为高效能、低功耗的理想产品提供支持。