类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 30A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 14mΩ@10V,30A |
功率(Pd) | 30W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 49nC@48V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.81nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 125pF@25V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
概述
STP60NF06FP是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),其主要特点为高效能、高电流承载能力和适应宽温范围。该器件以TO-220-3封装形式提供,适合各种要求高电流和高电压应用的电力电子电路。STP60NF06FP的漏源极电压(Vds)为60V,最大连续漏极电流(Id)为30A,使其非常适合用于电源管理、马达驱动和开关电源等领域。
技术参数
封装和安装类型:
电气特性:
温度特性:
功率耗散:
输入电容(Ciss):
应用场景
STP60NF06FP适用于多个领域,包括但不限于:
总结
STP60NF06FP结合了高电流、高电压和宽温度范围的特点,成为了高效电力电子应用中的理想选择。其低导通电阻与高功率耗散能力使其在各种应用场合中表现稳定,能够满足现代电子设备对效率和可靠性的高要求。此外,意法半导体的优质保证和良好的市场声誉,让STP60NF06FP在市场上有着广泛的应用基础和客户认可。
选择STP60NF06FP,无疑是优化系统性能、提高效率以及确保可靠性的有效方案。