类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 60A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 14mΩ@10V,30A |
功率(Pd) | 110W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 66nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2nF@25V |
工作温度 | -65℃~+175℃@(Tj) |
STP60NF06L是一款高性能的N沟道MOSFET,专为高效能功率管理应用设计,适用于需要高电流和高电压的开关和线性应用。作为意法半导体(STMicroelectronics)的一部分,STP60NF06L在电子设备和电力电子领域中被广泛使用。
STP60NF06L采用TO-220AB封装,便于在各种应用中的散热和安装。TO-220封装是一种常见的通孔安装封装,提供优良的热管理性能,非常适合高功率应用的需求。
该MOSFET具有极低的导通电阻,这使得其在高电流应用时表现出色。它的漏源电压能力高达60V,能够有效应对多种电源电压范围的需求。同时,110W的功率耗散能力确保了在高负载条件下的稳定性和可靠性。
STP60NF06L的工作温度范围非常广泛,-65°C至175°C,使其在极端环境中也能维持高性能,非常适合航空航天、汽车电子、工业控制等领域。
该器件的栅极电荷(Qg)为66nC @ 4.5V,在驱动时可以实现快速开关,降低开关损耗,提升整体能效,是高频率开关电源和其他高效能电源转换应用的理想选择。
在电路设计中,STP60NF06L能够与多种驱动电路兼容,最大门极源极电压为±15V,增强了电路设计的灵活性。在选择门极驱动电压时,通常10V被认为是最佳选择,以确保子器件的导通状况最小化导通电阻,提高能效。
此外,由于该MOSFET具有较低的输入电容(Ciss为2000pF @ 25V),在高频率的开关应用中,可有效降低驱动电路的负担,提升系统的响应速度和稳定性。
STP60NF06L广泛应用于包括但不限于以下场合:
STP60NF06L是一款值得信赖的高性能N沟道MOSFET,以其卓越的电气性能、耐用性和广泛的应用范围,成为各类电源管理解决方案的理想选择。由于其高效能和强大的功率处理能力,STP60NF06L在工业应用、消费电子及其他多种领域中显示出巨大的市场价值。电路设计师在选择功率器件时,应考虑STP60NF06L,以满足更高的性能和效率要求。