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STS1DNC45 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

STS1DNC45RoHS
商品编码:
BM0000286470复制
品牌:
ST(意法半导体)复制
封装:
SO-8复制
包装:
编带复制
重量:
0.225g复制
描述:
场效应管(MOSFET) 1.6W 450V 400mA 2个N沟道复制
数据手册
产品参数
产品手册
产品概述
STS1DNC45参数
属性
参数值
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)450V
连续漏极电流(Id)400mA
导通电阻(RDS(on))4.1Ω@10V
耗散功率(Pd)1.6W
属性
参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
输入电容(Ciss)160pF
反向传输电容(Crss)4.7pF
工作温度-65℃~+150℃
STS1DNC45手册
STS1DNC45概述

STS1DNC45 产品概述

一、简介

STS1DNC45是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),由意法半导体(STMicroelectronics)制造,该元器件采用表面贴装型(SOIC-8封装),广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器和其他高效能功率控制电路中。凭借其优越的电气特性和高温耐受能力,STS1DNC45是现代电子产品中值得信赖的选择。

二、主要特性

  1. 电气性能

    • 最大漏极电流(Id):400mA。这使得STS1DNC45能够适应多种电流需求的应用,同时兼具高效率和低功耗特性。
    • 额定漏源电压(Vds):450V。这一特性确保该MOSFET可在高压环境中稳定工作,非常适合用于具有高电压要求的电路。
    • 导通电阻(Rds(on)):在500mA和10V下的最大值为4.5Ω,确保在操作时的电压降较小,从而提高能效和系统整体性能。
  2. 频率响应

    • 输入电容(Ciss):最大值为160pF。这一参数反映了该器件在高频应用中的良好响应特性,能有效降低开关损耗。
    • 栅极电荷(Qg):在10V时,最大值为10nC。这有助于实现快速开关操作,适用于高频或脉冲应用场合。
  3. 工作温度

    • STS1DNC45具备杰出的热稳定性,工作温度范围可达到150°C(TJ),这使得该元器件在高温环境中稳定可靠,适合汽车电子和工业控制等应用。
  4. 阈值电压(Vgs(th)):在250μA的条件下,阈值电压的最大值为3.7V,这意味着在较低的栅极电压下即可实现导通,适应于多种驱动电路设计。

三、应用领域

STS1DNC45凭借其出色的电气特性和热性能,广泛应用于以下领域:

  • 电源管理:适用于开关电源、在线不间断电源(UPS)等产品,满足高效能的电源转换需求。
  • LED驱动:在LED照明和相关产品中,提供必要的电流控制和高效开关功能。
  • 电机驱动:广泛应用于小型电机控制,提供高效率和低发热量。
  • 汽车电子:在汽车电机驱动系统、车载电源管理等模块中,具备良好的耐高温能力。

四、优势总结

STS1DNC45是一款综合性能优异的双N沟道场效应管,具有较高的工作电压、较大的电流承载能力和较低的导通电阻,适用于各种要求严格的应用场合。其出色的工作温度范围使其能够可靠地运作于高温环境,是设计工程师实现高性能电子设备的重要选择。

五、结论

总之,STS1DNC45凭借其卓越的参数和性能,成为市场上适合广泛应用的MOSFET之一。无论是在电源转换、LED驱动还是电机控制等领域,该元器件均展现出卓越的可靠性和高效性。对设计者而言,选择STS1DNC45不仅能提升产品的性能,同时也有助于实现更高效率和更低功耗的目标。

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