类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 500V |
连续漏极电流(Id) | 14A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 380mΩ@10V,6A |
功率(Pd) | 150W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 92nC@400V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 55pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品简介 STW14NK50Z 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能N沟道MOSFET,采用TO-247-3封装。该器件专为高电压和大电流应用而设计,具备良好的导通性能和低导通电阻,适合用于电力电子转换和开关应用。
主要参数
设计特点 STW14NK50Z 采用金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)技术,具有高效的电流处理能力和优异的热管理特性。TO-247-3封装不仅提供了良好的热导性能,同时也方便在复杂的电路板上进行通孔安装,确保紧凑的布局设计。
高电压和电流处理能力: 产品的最大漏源极电压达到500V,适用于高压驱动应用。该器件的持续漏电流能力高达14A,能够满足多种工业和消费电子产品的电流需求。
低导通电阻: 在额定条件下,最大导通电阻为380mΩ,使得此MOSFET具有较低的功耗损失,进一步提高系统的效率。
广泛的工作温度范围: 该器件的工作温度范围为-55°C到150°C,确保其在苛刻的环境条件下仍能正常工作,广泛应用于汽车、工业控制和电源模块。
应用场景 STW14NK50Z 广泛应用于各种需要高电压和高电流的电路中,如:
在这些应用中,STW14NK50Z 提供了低开关损耗、高效率和优异的热稳定性,确保设备在高频操作中依然表现出色。
结语 STW14NK50Z 是一款卓越的N沟道MOSFET,凭借其高电压、高电流和低导通电阻的特性,非常适合用于现代电力电子应用。无论是在电力转换、开关作用还是在复杂的电动机驱动中,该MOSFET都能提供稳定可靠的性能。选择STW14NK50Z,将是您满足高效能电力系统需求的明智选择。