STW14NK50Z

STW14NK50Z 产品概述

产品简介 STW14NK50Z 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-247-3封装。该器件专为高电压和大电流应用而设计，具备良好的导通性能和低导通电阻，适合用于电力电子转换和开关应用。

主要参数

• 封装类型: TO-247-3
• FET类型: N沟道
• 最大漏源极电压（Vdss）: 500V
• 最大栅源电压（Vgss）: ±30V
• 连续漏电流（Id）: 14A（@ 25°C，冷却条件下）
• 最大功率耗散: 150W（@ Tc）
• 导通电阻: 最大值380mΩ（@ Vgs=10V，Id=6A）
• 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值4.5V（@ 100µA）
• 栅极电荷（Qg）: 最大值92nC（@ Vgs=10V）
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C

设计特点 STW14NK50Z 采用金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）技术，具有高效的电流处理能力和优异的热管理特性。TO-247-3封装不仅提供了良好的热导性能，同时也方便在复杂的电路板上进行通孔安装，确保紧凑的布局设计。

1. 高电压和电流处理能力: 产品的最大漏源极电压达到500V，适用于高压驱动应用。该器件的持续漏电流能力高达14A，能够满足多种工业和消费电子产品的电流需求。

2. 低导通电阻: 在额定条件下，最大导通电阻为380mΩ，使得此MOSFET具有较低的功耗损失，进一步提高系统的效率。

3. 广泛的工作温度范围: 该器件的工作温度范围为-55°C到150°C，确保其在苛刻的环境条件下仍能正常工作，广泛应用于汽车、工业控制和电源模块。

应用场景 STW14NK50Z 广泛应用于各种需要高电压和高电流的电路中，如：

• 开关电源
• 光伏逆变器
• 电机驱动器
• 照明控制
• 电池管理系统
• 高频开关电路

在这些应用中，STW14NK50Z 提供了低开关损耗、高效率和优异的热稳定性，确保设备在高频操作中依然表现出色。

结语 STW14NK50Z 是一款卓越的N沟道MOSFET，凭借其高电压、高电流和低导通电阻的特性，非常适合用于现代电力电子应用。无论是在电力转换、开关作用还是在复杂的电动机驱动中，该MOSFET都能提供稳定可靠的性能。选择STW14NK50Z，将是您满足高效能电力系统需求的明智选择。