STW20NK50Z

STW20NK50Z 产品概述

概述

STW20NK50Z是由意法半导体（STMicroelectronics）制造的一款高性能N沟道MOSFET，适用于各种功率电子应用。凭借其优秀的电气特性和可靠性，这款器件广泛应用于开关电源、工业控制、逆变器以及其他需要高效能和高稳定性的电路中。

主要参数

• 漏源电压（Vdss）： STW20NK50Z具备高达500V的漏源电压能力，使其适合于高压应用。这一特性确保了在大多数工业环境中其工作的安全性和稳定性。
• 连续漏极电流（Id）： 在25°C时，器件的连续漏极电流可达17A，这意味着在标准工作条件下，STW20NK50Z能提供强大的电流输出，满足中等功率需求的应用。
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）： 高达4.5V的阈值电压使得该MOSFET能够以较低的驱动电压工作，从而提高了电路的驱动灵活性和效率。
• 漏源导通电阻（Rds On）： 在8.5A和10V的条件下，导通电阻为270毫欧，表明此器件在导通状态时的能量损耗较小，确保了更高的效率和热管理性能。
• 最大功率耗散： STW20NK50Z具备190W的最大功率耗散能力，适应高功率应用所带来的严格散热要求。
• 工作温度范围： 器件能够在最高150°C的环境温度下运行，表明其具备良好的热稳定性，适合苛刻工作环境。

应用场景

STW20NK50Z的设计使其成为各种电力转换装置的理想选择。主要应用包括但不限于：

• 开关电源（SMPS）： 在电源转换器中，STW20NK50Z可用于实现高效的开关操作，大幅减少功率损耗，提高系统的整体效率。
• 逆变器： 在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中，STW20NK50Z因其高电压和电流能力成为理想的选择，确保了逆变操作的稳定性与高效性。
• 工业自动化： 在电机驱动和工业控制系统中，该MOSFET可以有效控制负载，提供所需的电流和电压，确保系统的正常运行。

结构与封装

STW20NK50Z采用TO-247-3封装，通孔安装设计使其在散热性能上表现优秀，特别适合需要较大功率散发的应用环境。TO-247封装能够提供更好的机械强度及电气性能，使其在高温和高负载条件下运行更加可靠。

电气特性

该产品在不同的电流和栅驱动条件下，表现出优异的电气特性。其栅极电荷（Qg）在10V时最大值为119nC，表明其驱动能够在快速开关操作中更为轻松，减少了驱动电路的负担。输入电容（Ciss）为2600pF（在25V时），这意味着其在高频应用时能够实现较好的响应速度，有助于提升系统的切换频率。

结论

综上所述，STW20NK50Z作为一款高压、高电流的N沟道MOSFET，凭借其卓越的电气特性和广泛的应用性，为现代高效能电力电子设备提供了强大的支持。无论您是在设计开关电源、逆变器还是其他工业电子设备，这款器件都能够满足严格的性能需求并提供优异的可靠性，是专业工程师与开发人员值得信赖的选择。