类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 50A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9.4mΩ@10V,24A |
功率(Pd) | 3W;136W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 150nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 4.8nF@25V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
一、产品介绍
SUD50P04-09L-E3 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET(场效应晶体管),由全球知名的电子元器件制造商 VISHAY(威世)生产。凭借其极低的漏源导通电阻、较高的连续漏极电流承载能力以及优异的热管理特性,该 MOSFET 被广泛应用于电源管理、开关电路及其他高效能电子设备中。
二、基本参数
三、产品特点
高效率: SUD50P04-09L-E3 具备低导通电阻(Rds On)特性,使其在工作时产生的热量显著减少,从而提升了整体系统的效率。该 MOSFET 的低导通电阻值为9.4毫欧在24A负载下表现尤为优异,对于要求高效能和长时间运行的应用场合尤为适用。
高电流承载能力: 该器件设计的连续漏极电流可达到50A,使其可适应多种重载应用。同时,其最大功率耗散能力(在结温条件下可达136W)为其提供了更大的操作余地,适合在高功率需求的环境中使用。
宽广的工作温度范围: 该器件能够在-55°C至175°C的极端温度条件下稳定运行,适合航空航天、军事、汽车等对温度变化敏感的应用。
适合表面贴装: TO-252封装形式使得 SUD50P04-09L-E3 适合于现代的表面贴装技术(SMT),不仅能减少PCB板的占用空间,也提高了组装的效率。
低门极电荷: 在10V驱动下,门极电荷(Qg)为150nC,可直接与高频信号的开关特性相匹配,进一步提升了对高速开关转换的响应能力。
四、应用领域
由于其优异的特性,SUD50P04-09L-E3 MOSFET 广泛应用于以下领域:
五、结论
综上所述,SUD50P04-09L-E3 P沟道 MOSFET 以其高效能、低导通电阻、宽工作温度范围、以及适合表面贴装的特性,成为众多电子应用的理想选择。其优越性能不仅提升了电子设备的运行效率,大幅降低了系统的能耗,同时也提高了系统的可靠性。无论是在电源管理还是在高负载情况下,SUD50P04-09L-E3 都能够满足您的需求,是电子工程师在设计高效能系统时不可或缺的优质元件。