SUD50P04-09L-E3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SUD50P04-09L-E3

商品编码: BM0000286486
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-252,(D-Pak)
包装 : 
编带
重量 : 
0.39g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3W;136W 40V 50A 1个P沟道 TO-252(DPAK)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
9.36
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥9.36
--
2000+
¥9.04
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SUD50P04-09L-E3参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)50A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)9.4mΩ@10V,24A
功率(Pd)3W;136W阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)150nC@10V输入电容(Ciss@Vds)4.8nF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

SUD50P04-09L-E3手册

SUD50P04-09L-E3概述

SUD50P04-09L-E3 产品概述

一、产品介绍

SUD50P04-09L-E3 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET(场效应晶体管),由全球知名的电子元器件制造商 VISHAY(威世)生产。凭借其极低的漏源导通电阻、较高的连续漏极电流承载能力以及优异的热管理特性,该 MOSFET 被广泛应用于电源管理、开关电路及其他高效能电子设备中。

二、基本参数

  1. 漏源电压(Vdss): 40V
  2. 连续漏极电流(Id,25°C 时): 50A
  3. 漏源导通电阻(Rds On): 9.4mΩ @ 24A,10V
  4. 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 3V @ 250μA
  5. 最大功率耗散(Ta=25°C): 3W
  6. 技术类型: P沟道 MOSFET
  7. 工作温度范围: -55°C至175°C
  8. 封装类型: TO-252 (D-Pak)

三、产品特点

  1. 高效率: SUD50P04-09L-E3 具备低导通电阻(Rds On)特性,使其在工作时产生的热量显著减少,从而提升了整体系统的效率。该 MOSFET 的低导通电阻值为9.4毫欧在24A负载下表现尤为优异,对于要求高效能和长时间运行的应用场合尤为适用。

  2. 高电流承载能力: 该器件设计的连续漏极电流可达到50A,使其可适应多种重载应用。同时,其最大功率耗散能力(在结温条件下可达136W)为其提供了更大的操作余地,适合在高功率需求的环境中使用。

  3. 宽广的工作温度范围: 该器件能够在-55°C至175°C的极端温度条件下稳定运行,适合航空航天、军事、汽车等对温度变化敏感的应用。

  4. 适合表面贴装: TO-252封装形式使得 SUD50P04-09L-E3 适合于现代的表面贴装技术(SMT),不仅能减少PCB板的占用空间,也提高了组装的效率。

  5. 低门极电荷: 在10V驱动下,门极电荷(Qg)为150nC,可直接与高频信号的开关特性相匹配,进一步提升了对高速开关转换的响应能力。

四、应用领域

由于其优异的特性,SUD50P04-09L-E3 MOSFET 广泛应用于以下领域:

  1. 电源管理: 适用于DC-DC转换器、开关电源等设备的控制电路。
  2. 电机驱动: 适合用于电动机的驱动和控制,以实现高效的转动。
  3. LED照明: 在LED驱动电路中,其高效性能确保能量的高效利用。
  4. 汽车电子: 适合用于汽车电源管理、照明控制等系统,适应性强。
  5. 工业自动化: 用于各种自动化系统中的电源控制、开关电路等。

五、结论

综上所述,SUD50P04-09L-E3 P沟道 MOSFET 以其高效能、低导通电阻、宽工作温度范围、以及适合表面贴装的特性,成为众多电子应用的理想选择。其优越性能不仅提升了电子设备的运行效率,大幅降低了系统的能耗,同时也提高了系统的可靠性。无论是在电源管理还是在高负载情况下,SUD50P04-09L-E3 都能够满足您的需求,是电子工程师在设计高效能系统时不可或缺的优质元件。