额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 65V | 晶体管类型 | 2 PNP(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 65V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 650mV @ 5mA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 125 @ 2mA,5V | 功率 - 最大值 | 200mW |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | SOT-363 |
BC856AS-7 是一款高性能的PNP型双极性晶体管(BJT),具有200mW的额定功率、65V的集射极击穿电压(Vce)和100mA的最大集电极电流(Ic)。该晶体管专为高效电源开关、放大器和其他模拟电路应用而设计,能够在广泛的工作温度范围内稳定工作,适合各种电子设备中的应用。
BC856AS-7 在其额定功率下,提供了出色的电气特性。特别是其饱和压降在5mA和100mA条件下的650mV,保证了较低的功耗,适合需要低功耗和高效能电路的应用。此外,截止电流仅为15nA,反映了其在关断状态下的低电流特性,这对于节能电路至关重要。
该晶体管的直流电流增益(hFE)在2mA条件下达到125,说明在小信号放大应用中具有良好的增益性能,适合用于音频放大、信号处理等应用场合。
与许多其他市售晶体管相比,BC856AS-7 提供了-65°C到150°C的广泛工作温度范围,说明其在极端环境下也能稳定工作。因此,特别适合用于汽车、航空航天和工业控制等高要求的应用中。
BC856AS-7凭借其优秀的特性,广泛应用于:
BC856AS-7采用SOT-363封装,适用于表面贴装(SMD)技术,使其在现代电子设计中易于集成并节省空间。这种小型封装的设计使得BC856AS-7能够在小型化的PCB设计中占据最小的空间,同时保持良好的散热性能。
BC856AS-7晶体管凭借其出色的电气性能、广泛的应用适应性和高温工作能力,成为各类电子产品中的理想选择。无论在高性能数字电路还是模拟电路中,它都能提供稳定的操作和可靠的性能,尤其是在对功耗、电流控制和温度灵敏度要求较高的环境下。通过选择BC856AS-7,设计工程师能够确保其产品在性能及效能方面的卓越表现。