晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 1A |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 1.35W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 63@150mA,2V | 特征频率(fT) | 145MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@500mA,50mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
BCP51,115 是一款高性能的PNP型晶体管,专为各种电子应用而设计。它的主要电气参数包括额定功率1W、集电极电流最大值1A以及集射极击穿电压最大值45V。这种设计使得BCP51,115能够广泛应用于低功耗模拟和数字电路中,如开关电源、信号放大器以及电流控制电路等。
额定功率和电流能力
电压特性
增益特性
频率响应
温度范围
BCP51,115的封装采用SOT-223,这是表面贴装型的设计,支持现代电子设备的紧凑化与高效集成。TO-261-4和TO-261AA也是其可用的封装版本,适合于不同的直接贴装需求。
BCP51,115由于其优良的性能参数,被广泛应用于以下场景:
BCP51,115晶体管在设计时充分考虑了可靠性、可适应性及综合性能。具有如下优势:
综合考虑BCP51,115的电气特性、应用场景及其优势,它是一款性能优良、适用范围广泛的PNP三极管,能够满足现代电子电路设计的多样化需求。无论是在开关电源、信号放大还是电流控制方面,它都能提供可靠、稳定的性能,适作为高效电子设备的关键组成部分。对于电路设计师而言,BCP51,115是实现高效能与高可靠性设计的一种理想选择。