标称阻抗@测试频率 | 1.5kΩ@100MHz | 误差 | ±25% |
直流电阻(RDC) | 500mΩ | 额定电流 | 750mA |
电路数 | 1 |
BLM18HE152SN1D 是日本村田(muRata)公司推出的一款高性能磁珠,具有出色的信号滤波和噪声抑制能力。该产品采用0603(1608公制)封装,特别设计用于在高频应用中提供良好的电气性能。其主要特性包括在100MHz频率下的阻抗达到1.5kΩ,适用于各种电子设备的信号线滤波和干扰抑制,能够有效地保护后端电路免受高频噪声的影响。
BLM18HE152SN1D的详细技术参数如下:
上述参数使得BLM18HE152SN1D非常适合用于各种需保持信号完整性并降低电磁干扰的设备中。
高频性能: 该磁珠在高频信号(如100MHz)下表现出色,能够在此频率条件下提供1.5kΩ的阻抗,这对于抑制射频干扰(RFI)和电磁干扰(EMI)具有显著作用。
强大的承载能力: 额定电流达到500mA,确保了其在实际应用中能够处理较大的信号强度,适用于多种电力和信号传输需求。
低直流电阻: 最大500mΩ的直流电阻保证了在日常应用中低功耗,以及降低了热量产生,增加了元件的可靠性和寿命。
广泛的工作温度范围: -55°C至125°C的温度适应范围,使得该元件可在极端环境下工作,适用于工业、汽车和消费电子产品等多种领域。
BLM18HE152SN1D适用于多种应用场景,包括但不限于:
BLM18HE152SN1D 是一款具有高频特性和低功耗的磁珠,适用于高要求的信号滤波与电磁干扰抑制应用。它凭借良好的温度耐受性、合理的设计和多种应用场景的兼容性,成为了现代电子设备中不可或缺的重要元件。选择BLM18HE152SN1D,您将能够获得卓越的电气性能和信号完整性,为各种电子设计提供可靠的解决方案。