BUK7Y3R5-40E,115

产品概述：BUK7Y3R5-40E,115

1. 概述

BUK7Y3R5-40E,115是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），适用于各类功率电子应用。凭借其出色的电气和热性能，该MOSFET成为电源管理、逆变器和电机驱动等应用中的理想选择。其适用的工作环境广泛，从低温到高温，确保设备在各种工作条件下的可靠性。

2. 主要技术参数

BUK7Y3R5-40E,115具有以下关键规格：

• 漏源电压（Vdss）: 40V
• 连续漏极电流（Id）: 100A @ 25°C (Tc)
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4V @ 1mA，确保在合理的栅电压下实现快速开关。
• 漏源导通电阻（Rds(on)）: 3.5mΩ @ 25A, 10V，更低的导通电阻意味着更少的功率损耗和更高的效率。
• 最大功率耗散: 167W (Tc)，确保在高负载情况下的可靠运行。
• 工作温度范围: -55°C ~ 175°C，适用于极端环境条件。

3. 封装与物理特性

BUK7Y3R5-40E,115采用先进的表面贴装型封装设计，包括LFPAK56和Power-SO8，能够满足多样化的应用需求。封装设计旨在提高散热性能，降低电路板的占用空间，并支持自动化组装。

4. 应用领域

由于其优异的电气特性和极高的功率处理能力，BUK7Y3R5-40E,115广泛应用于多个领域，包括：

• 开关电源（SMPS）：用于提高效率和降低发热，优化整体系统性能。
• 电机驱动：在电动汽车和工业自动化中，用于高效驱动电机。
• 逆变器：在可再生能源技术中（如太阳能和风能逆变器）中进行有效的能量转换。
• 电热装置：在高电流应用中保证稳定的工作状态。

5. 工作原理

BUK7Y3R5-40E,115作为N沟道MOSFET工作时，栅极电压的变化直接影响漏源之间的电流传导状态。当栅源电压（Vgs）超过阈值电压（Vgs(th)），MOSFET开始导通，漏源之间的电流迅速增加，这使得BUK7Y3R5-40E,115具备快速开关能力，同时保持低导通电阻，从而降低功率损失。

6. 性能优势

随着电子设备对效率和性能要求的不断提高，BUK7Y3R5-40E,115在设计时采用了先进的制造工艺，显著提升了性能指标。这些优势使得其适用于高频率、高速切换的应用场景，提供了极好的热管理和电气性质。

7. 总结

BUK7Y3R5-40E,115是一款具有卓越导电性和高效散热能力的N沟道MOSFET，广泛应用于现代电子设备中，是实现高效电源管理方案的关键器件。其优异的技术参数和设计特性不仅提高了系统的整体效率，也确保了在苛刻工作环境下的稳定性和可靠性。无论是在工业、汽车还是消费电子领域，BUK7Y3R5-40E,115都展现出优秀的性能表现，成为工程师们的理想选择。