BUK7Y3R5-40E,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BUK7Y3R5-40E,115

商品编码: BM0000286685
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
LFPAK56,Power-SO8
包装 : 
编带
重量 : 
0.126g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 167W 40V 100A 1个N沟道 SOT-669
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.71
按整 :
圆盘(1圆盘有1500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.71
--
1500+
¥2.6
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

BUK7Y3R5-40E,115参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)100A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.5mΩ@10V,25A
功率(Pd)167W阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)49.4nC@10V输入电容(Ciss@Vds)3.583nF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

BUK7Y3R5-40E,115手册

BUK7Y3R5-40E,115概述

产品概述:BUK7Y3R5-40E,115

1. 概述

BUK7Y3R5-40E,115是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),适用于各类功率电子应用。凭借其出色的电气和热性能,该MOSFET成为电源管理、逆变器和电机驱动等应用中的理想选择。其适用的工作环境广泛,从低温到高温,确保设备在各种工作条件下的可靠性。

2. 主要技术参数

BUK7Y3R5-40E,115具有以下关键规格:

  • 漏源电压(Vdss): 40V
  • 连续漏极电流(Id): 100A @ 25°C (Tc)
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 4V @ 1mA,确保在合理的栅电压下实现快速开关。
  • 漏源导通电阻(Rds(on)): 3.5mΩ @ 25A, 10V,更低的导通电阻意味着更少的功率损耗和更高的效率。
  • 最大功率耗散: 167W (Tc),确保在高负载情况下的可靠运行。
  • 工作温度范围: -55°C ~ 175°C,适用于极端环境条件。

3. 封装与物理特性

BUK7Y3R5-40E,115采用先进的表面贴装型封装设计,包括LFPAK56和Power-SO8,能够满足多样化的应用需求。封装设计旨在提高散热性能,降低电路板的占用空间,并支持自动化组装。

4. 应用领域

由于其优异的电气特性和极高的功率处理能力,BUK7Y3R5-40E,115广泛应用于多个领域,包括:

  • 开关电源(SMPS):用于提高效率和降低发热,优化整体系统性能。
  • 电机驱动:在电动汽车和工业自动化中,用于高效驱动电机。
  • 逆变器:在可再生能源技术中(如太阳能和风能逆变器)中进行有效的能量转换。
  • 电热装置:在高电流应用中保证稳定的工作状态。

5. 工作原理

BUK7Y3R5-40E,115作为N沟道MOSFET工作时,栅极电压的变化直接影响漏源之间的电流传导状态。当栅源电压(Vgs)超过阈值电压(Vgs(th)),MOSFET开始导通,漏源之间的电流迅速增加,这使得BUK7Y3R5-40E,115具备快速开关能力,同时保持低导通电阻,从而降低功率损失。

6. 性能优势

随着电子设备对效率和性能要求的不断提高,BUK7Y3R5-40E,115在设计时采用了先进的制造工艺,显著提升了性能指标。这些优势使得其适用于高频率、高速切换的应用场景,提供了极好的热管理和电气性质。

7. 总结

BUK7Y3R5-40E,115是一款具有卓越导电性和高效散热能力的N沟道MOSFET,广泛应用于现代电子设备中,是实现高效电源管理方案的关键器件。其优异的技术参数和设计特性不仅提高了系统的整体效率,也确保了在苛刻工作环境下的稳定性和可靠性。无论是在工业、汽车还是消费电子领域,BUK7Y3R5-40E,115都展现出优秀的性能表现,成为工程师们的理想选择。