类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 100A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.5mΩ@10V,25A |
功率(Pd) | 167W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 49.4nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.583nF@25V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
BUK7Y3R5-40E,115是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),适用于各类功率电子应用。凭借其出色的电气和热性能,该MOSFET成为电源管理、逆变器和电机驱动等应用中的理想选择。其适用的工作环境广泛,从低温到高温,确保设备在各种工作条件下的可靠性。
BUK7Y3R5-40E,115具有以下关键规格:
BUK7Y3R5-40E,115采用先进的表面贴装型封装设计,包括LFPAK56和Power-SO8,能够满足多样化的应用需求。封装设计旨在提高散热性能,降低电路板的占用空间,并支持自动化组装。
由于其优异的电气特性和极高的功率处理能力,BUK7Y3R5-40E,115广泛应用于多个领域,包括:
BUK7Y3R5-40E,115作为N沟道MOSFET工作时,栅极电压的变化直接影响漏源之间的电流传导状态。当栅源电压(Vgs)超过阈值电压(Vgs(th)),MOSFET开始导通,漏源之间的电流迅速增加,这使得BUK7Y3R5-40E,115具备快速开关能力,同时保持低导通电阻,从而降低功率损失。
随着电子设备对效率和性能要求的不断提高,BUK7Y3R5-40E,115在设计时采用了先进的制造工艺,显著提升了性能指标。这些优势使得其适用于高频率、高速切换的应用场景,提供了极好的热管理和电气性质。
BUK7Y3R5-40E,115是一款具有卓越导电性和高效散热能力的N沟道MOSFET,广泛应用于现代电子设备中,是实现高效电源管理方案的关键器件。其优异的技术参数和设计特性不仅提高了系统的整体效率,也确保了在苛刻工作环境下的稳定性和可靠性。无论是在工业、汽车还是消费电子领域,BUK7Y3R5-40E,115都展现出优秀的性能表现,成为工程师们的理想选择。