集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 200mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@10mA,5V |
DDTC123JCA-7-F 是由美台(DIODES)公司生产的一款高性能数字晶体管,采用了NPN-预偏压设计。其额定功率为200mW,具有较高的集电极电流(Ic)限制,最大值可达100mA,集射极击穿电压(Vce)最高可达50V,使其在多种电子电路应用中表现出色。
额定功率:作为一款高效的数字晶体管,DDTC123JCA-7-F的额定功率为200mW,这使得其可以在小型化设计中输出相对较高的功率,而不会过度发热。
电流和电压特性:
频率特性:该晶体管的跃迁频率为250MHz,技术上支持高频信号的处理,适用于高频开关和信号放大电路。
电流增益 (hFE):在Ic为10mA和Vce为5V时,样品的最小直流电流增益(hFE)可达到80,保证了在使用时提供所需的放大能力。
饱和压降:在250µA和5mA的工作条件下,最大饱和压降仅为300mV,使其在开关状态下能够实现高效的能量利用和低功耗特性。
电流截止特性:其集电极截止电流(Ic)最大值为500nA,表明其在非工作状态下的功耗非常低,适合低功耗设计。
在DDTC123JCA-7-F的应用设计中,即使在简单的上下拉配置中也需要适当的基极和发射极电阻。基极电阻(R1)通常选择为2.2 kΩ,而发射极电阻(R2)为47 kΩ。这一配置有助于优化进入基极的电流,提升晶体管的工作效率和线性度。
DDTC123JCA-7-F采用SOT-23封装,此封装形式支持表面贴装(SMD),极大地便利了自动化生产和PCB(印刷电路板)的布局。SOT-23封装不仅小巧,还能有效支持散热,加之其优良的电性能,使其在移动设备、便携式电子产品以及其他空间受限的应用中表现卓越。
得益于其广泛的电气特性,DDTC123JCA-7-F可广泛应用于下列领域:
DDTC123JCA-7-F 是一款在多个应用领域都能够胜任的高性能NPN数字晶体管。其具有较高的集电极电流、低饱和压降以及合理的增益,使其成为各种电子设计中理想的选择。对于寻求小型化、高效率、低功耗解决方案的设计工程师而言,DDTC123JCA-7-F无疑是其设计中的重要考虑因素,无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子等领域,其性能及可靠性均能满足现代电子产品日益增长的需求。