DMN2020UFCL-7 产品实物图片
DMN2020UFCL-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMN2020UFCL-7

商品编码: BM0000286792
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
X1-DFN1616-6
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 610mW 20V 9A 1个N沟道 X1-DFN1616-6
库存 :
1411(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
0.868
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.868
--
200+
¥0.668
--
1500+
¥0.581
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN2020UFCL-7参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)9A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)12mΩ@4.5V,9A
功率(Pd)2W阈值电压(Vgs(th)@Id)900mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)21.5nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)1.788nF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)150pF工作温度-55℃~+150℃

DMN2020UFCL-7手册

DMN2020UFCL-7概述

DMN2020UFCL-7 产品概述

概述

DMN2020UFCL-7是美台(DIODES)公司生产的一款高性能N沟道场效应管(MOSFET),特别设计用于表面贴装应用。该器件具有优秀的电气性能和广泛的工作温度范围,适合各种开关和功率管理电路。无论是在消费电子、通信设备还是工业控制系统中,DMN2020UFCL-7都能满足苛刻的性能要求。

关键参数

  1. 额定电流和电压

    • 连续漏极电流(Id): 9A @ 25°C,确保在多种负载条件下的稳定性和可靠性。
    • 漏源电压(Vdss): 20V,使其适用于低压系统,减少了传统MOSFET的限制。
  2. 导通电阻(Rds(on))

    • 在9A和4.5V时,器件的最大导通电阻为14毫欧。这一低Rds(on)值提高了能效,降低了热损耗,适合对能效有严格要求的应用场合。
  3. 驱动电压

    • 器件的栅源电压(Vgs)范围从1.8V到4.5V,支持在较低的栅驱动电压下工作。这不仅简化了驱动电路设计,还提高了系统的灵活性。
  4. 栅极电荷(Qg)

    • 在4.5V时,栅极电荷(Qg)最大为21.5nC,这使得开关速度快,能够在高频条件下实现高效切换。
  5. 输入电容(Ciss)

    • 最大输入电容(Ciss)为1788pF @ 10V,良好的输入特性保证了其快速响应能力,适合高频操作场景。
  6. 工作温度范围

    • 器件可在-55°C到150°C的宽广温度范围内稳定工作,支持苛刻的环境应用。
  7. 功率耗散

    • 最大功率耗散为610mW (Ta) ,可以有效管理热量,防止器件在高负载条件下出现性能下降。

应用场景

DMN2020UFCL-7的设计使其适用于多种应用领域:

  • 电源管理: 在DC-DC转换器中作为开关元件,能有效地实现电源的调节和转换。
  • 电机控制: 在电动机驱动电路中使用,提供高效控制与驱动。
  • LED驱动: 在LED照明应用中,作为驱动元件确保稳定输出和高效能。
  • 消费电子: 适合各类便携设备的电源管理,如智能手机、平板电脑等。

封装与安装

DMN2020UFCL-7采用X1-DFN1616-6表面贴装型封装,具有小尺寸和优良的散热性能,能够有效降低PCB的空间占用率,同时提高了密度设计的可能性。这种封装形式也有助于提升生产效率和降低组装成本。

结论

DMN2020UFCL-7是一款集高效能、低损耗和广泛适用性于一体的N沟道MOSFET,适应了现代电子设备对能效和性能的严格要求。尤其在功率管理、高频开关和宽温度应用等场合,都是一个值得信赖的选择。其优良的电气特性和周到的设计使得它成为了许多电子工程师的首选元件。无论您是处于研发阶段,还是生产过程中的应用,这款MOSFET都将为您的项目提供强有力的支持。