类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 12mΩ@4.5V,9A |
功率(Pd) | 2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 21.5nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.788nF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 150pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN2020UFCL-7是美台(DIODES)公司生产的一款高性能N沟道场效应管(MOSFET),特别设计用于表面贴装应用。该器件具有优秀的电气性能和广泛的工作温度范围,适合各种开关和功率管理电路。无论是在消费电子、通信设备还是工业控制系统中,DMN2020UFCL-7都能满足苛刻的性能要求。
额定电流和电压
导通电阻(Rds(on))
驱动电压
栅极电荷(Qg)
输入电容(Ciss)
工作温度范围
功率耗散
DMN2020UFCL-7的设计使其适用于多种应用领域:
DMN2020UFCL-7采用X1-DFN1616-6表面贴装型封装,具有小尺寸和优良的散热性能,能够有效降低PCB的空间占用率,同时提高了密度设计的可能性。这种封装形式也有助于提升生产效率和降低组装成本。
DMN2020UFCL-7是一款集高效能、低损耗和广泛适用性于一体的N沟道MOSFET,适应了现代电子设备对能效和性能的严格要求。尤其在功率管理、高频开关和宽温度应用等场合,都是一个值得信赖的选择。其优良的电气特性和周到的设计使得它成为了许多电子工程师的首选元件。无论您是处于研发阶段,还是生产过程中的应用,这款MOSFET都将为您的项目提供强有力的支持。