DMP2045U-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
0.034g
描述 :
场效应管(MOSFET) 800mW 20V 4.3A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
2661(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.574按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.574
--
200+
￥0.371
--
1500+
￥0.322
--
3000+
￥0.285
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP2045U-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4.3A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 45mΩ @ 4A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 800mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.3A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 4A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.8nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 634pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 800mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMP2045U-7手册
DMP2045U-7概述
DMP2045U-7 产品概述
DMP2045U-7 是一款高性能的 P 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为低功耗和高效能应用而设计。该器件由 DIODES（美台）公司制造，采用 SOT-23 封装形式，适合表面贴装，便于在现代电子设备中实现高密度布局。
主要规格
DMP2045U-7 具备以下关键参数：
- 漏源电压 (Vdss): 20V
- 连续漏极电流 (Id) (25°C 时): 4.3A
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 1V @ 250µA
- 漏源导通电阻 (Rds On): 45mΩ @ 4A, 4.5V
- 最大功率耗散 (Ta=25°C): 800mW
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 输入电容 (Ciss): 634pF @ 10V
- 栅极电荷 (Qg): 6.8nC @ 4.5V
- 最大 Vgs: ±8V
应用场景
DMP2045U-7 适用于多个应用场景，主要包括：
- 电源管理: 由于其低导通电阻和高效能，适合用于开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中，能够提高系统的整体效率并降低功耗。
- 电机驱动: 在电机驱动应用中，DMP2045U-7 能够提供快速的开关能力和稳定的电流供给，确保电机的平稳运行。
- 信号开关: 适合用于低电压信号开关和选择器件中，尤其在需要低栅电压驱动的场合。
- 消费者电子: 如手机、平板电脑和其他便携式设备中，利用其小型封装和高效率可实现更小或更轻便的设计。
设计优势
- 低功耗和高效率: DMP2045U-7 的导通电阻最低可达 45mΩ，能够有效减少在开关过程中产生的功耗。这对需要频繁切换的应用尤为重要。
- 宽广的工作温度范围: 该器件的工作温度范围广达 -55°C 至 150°C，确保其在各种环境条件下均能稳定运行，适合工业及汽车电子等要求严格的应用。
- 小型化设计: SOT-23 封装使得 DMP2045U-7 非常适合空间受限的设计，利于提高电路的集成度。
结论
作为 DIODES（美台）公司的一款出色的 P 沟道 MOSFET，DMP2045U-7 因其优异的电气性能、广泛的适用性及出色的可靠性，而成为现代电子设计中不可或缺的元器件。无论是在电源管理、负载开关，还是在信号处理领域，该器件均能提供值得信赖的解决方案。通过采用 DMP2045U-7，设计工程师不仅能提升电子产品性能，还能有效缩短产品开发周期，加速市场投放。