类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 7.1A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 65mΩ@4.5V,5.0A |
功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 13.7nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 722pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 92pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP3056LSS-13 是一款高性能的 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由美台(Diodes Incorporated)生产,专为需要高开关效率和低功耗损耗的应用设计。这款元器件以其卓越的电气性能和可靠性,广泛应用于各种电子电路中,如电源管理、负载开关和信号调节等领域。
DMP3056LSS-13 采用 8-SOP(小型表面贴装封装),封装尺寸为 0.154"(3.90 mm 宽),使得其在电路板的空间利用上更加高效。表面贴装的设计还简化了与自动化焊接设备的兼容性,提高了生产效率。
DMP3056LSS-13 由于其出色的电气特性,适用于以下典型应用:
总之,DMP3056LSS-13 是一款高效、可靠且易于集成的 P 沟道 MOSFET,适合各种中小功率的应用。其设计坚持高效率、低损耗的市场需求,使其在现代电子产业中发挥越来越重要的作用。无论是电源管理、负载控制还是电机驱动,DMP3056LSS-13 的性能都能满足严苛的要求,值得工程师们在产品设计中考虑选用。