| 晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 2A |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 20V | 耗散功率(Pd) | 600mW |
| 直流电流增益(hFE) | 150@1A,2V | 特征频率(fT) | 100MHz |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 120mV |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |
DSS20200L-7是一款高性能PNP型双极晶体管 (BJT),旨在满足各种电子应用的需求。该器件采用表面贴装型(SMD)封装,具有出色的电气特性,广泛应用于开关电源、信号放大电路及其他需要高效能的电子设备中。其重要参数如最大集电极电流、集射极击穿电压和功率处理能力使其成为设计中不可或缺的组成部分。
基本参数:
电气性能:
封装和品牌:
DSS20200L-7因其独特的性能参数,适用于多个领域,如:
总之,DSS20200L-7是一款在电子元器件市场中具有高性价比的PNP型晶体管,凭借其卓越的电气性能与广泛的应用场景,满足了设计师对效率和稳定性的需求。随着电子产品对体积、性能和功耗的不断追求,本器件无疑在未来的电子设计中将发挥重要作用。无论是在消费电子、工业控制,还是汽车电子领域,其均展现出强大的适应能力和可靠性,预示着其在未来将得到更广泛的应用。